[發明專利]瞬態電壓保護電路和器件

有效

• 申請號: 201510402598.1
• 申請日: 2015-07-10
• 公開（公告）號: CN105281313B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: A.格拉斯;K.沙爾納格爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H01L23/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王洪斌;胡莉莉

1.一種瞬態電壓保護電路，包括：

第一集成電路，包括：

輸入節點；

輸出節點；

在輸入節點和參考電壓節點之間耦合的第一瞬態電壓保護組件，其中第一瞬態電壓保護組件包括第一動態電阻；以及

在輸入節點和輸出節點之間耦合的阻抗元件，

耦合到第一集成電路的輸出節點的第二集成電路，

其中第二集成電路包括受保護的器件（DUP），受保護的器件（DUP）包括ESD保護組件，其中僅一個單級瞬態電壓保護電路被耦合在第一集成電路的輸出節點和第一集成電路的輸入節點之間，其中所述DUP中的ESD保護組件具有大于第一動態電阻的第二動態電阻，其中到第二集成電路的輸入節點中的輸入電流路徑除了所述單級瞬態電壓保護電路之外不包括其它的ESD或瞬態電壓保護組件。

2.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓保護組件包括瞬態電壓抑制（TVS）二極管。

3.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中阻抗元件包括電阻元件。

4.根據權利要求3所述的瞬態電壓保護電路，其中電阻元件具有小于10歐姆并且大于0.1歐姆的電阻。

5.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第二動態電阻與第一動態電阻的比率在5到20之間。

6.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓保護組件被配置成放電高達30kV的ESD電壓，而ESD保護組件被配置成放電僅高達3kV的ESD電壓。

7.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓保護組件被配置成根據系統級ESD規范IEC61000-4-2放電ESD電壓，而ESD保護組件被配置成根據HBM級規范ANSI/ESDA/JEDEC JS-001放電ESD電壓。

8.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓保護組件被配置成比ESD保護組件放電更大的ESD電流。

9.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中參考電壓節點是地電勢節點。

10.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中瞬態電壓保護電路是ESD保護電路。

11.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓組件包括齊納二極管。

12.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓組件包括在輸入節點和參考電壓節點之間串聯連接的第一齊納二極管和第二齊納二極管，其中第一和第二齊納二極管的陰極耦合在一起。

13.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓組件包括：

在輸入節點和參考電壓節點之間耦合的第一放電路徑，第一放電路徑包括第一二極管；以及

與第一放電路徑并聯耦合的第二放電路徑，第二放電路徑包括：

與第一二極管的相反極性耦合的第二二極管，以及

齊納二極管，其中齊納二極管和第二二極管的陰極耦合在一起。

14.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓組件包括晶閘管。

15.根據權利要求1所述的瞬態電壓保護電路，其中第一瞬態電壓保護組件的觸發電壓不超出ESD保護組件的觸發電壓1伏。