[發明專利]一種晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法有效
| 申請號: | 201510401535.4 | 申請日: | 2015-07-09 |
| 公開(公告)號: | CN104979430A | 公開(公告)日: | 2015-10-14 |
| 發明(設計)人: | 鄒帥;王栩生;邢國強 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司: | 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陸金星 |
| 地址: | 215129 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 結構 制備 方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
(1)?采用金屬催化腐蝕的方法制備絨面結構,腐蝕溫度為8~80℃,處理時間為10~1000秒;
(2)?絨面微結構一步修正刻蝕:將帶有絨面結構的硅片放入化學腐蝕液中進行微結構修正刻蝕;
所述化學腐蝕液選自以下溶液中的一種:NaOH溶液、KOH溶液、NaOH和NaClO的混合堿溶液、四甲基氫氧化銨溶液。
2.一種晶體硅太陽能電池的絨面結構的制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
(1)?采用金屬催化腐蝕的方法制備絨面結構,腐蝕溫度為8~80℃,處理時間為10~1000秒;
(2)?絨面微結構二步修正刻蝕:將帶有絨面結構的硅片放入化學腐蝕液中進行微結構修正刻蝕;
(a)?將帶有絨面的硅片放入酸性化學腐蝕液中進行微結構修正刻蝕;
所述酸性化學腐蝕液為H2CrO4和HF的混合酸溶液;
(b)?將帶有絨面的硅片放入堿性化學腐蝕液中進行微結構修正刻蝕;
所述堿性化學腐蝕液選自以下溶液中的一種:NaOH溶液、KOH溶液、四甲基氫氧化銨溶液、NaOH和NaClO的混合堿溶液。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:所述金屬催化腐蝕的方法如下:將硅片放入含有氧化劑以及金屬鹽的氫氟酸溶液中,在硅片表面形成納米級絨面結構;其中,腐蝕溫度為8~80℃,處理時間為10~1000秒。
4.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:所述金屬催化腐蝕的方法如下:(a)?先將硅片放入含有金屬離子的溶液中浸泡,使硅片表面涂覆一層金屬納米顆粒;(b)?然后用化學腐蝕液腐蝕硅片表面,形成納米級絨面結構;所述化學腐蝕液為含有氧化劑的氫氟酸溶液;
其中,步驟(b)中的腐蝕溫度為8~80℃,處理時間為10~1000秒。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于:所述步驟(a)中含有金屬離子的溶液為含有金屬離子的HF溶液。
6.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:所述腐蝕溫度為20~35℃,處理時間為20~200秒。
7.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:所述溶液中金屬離子的濃度大于6E-5?mol/L。
8.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:在所述絨面微結構修正刻蝕步驟之前或之后,還有去除金屬顆粒步驟,具體如下:分別用酸液、去離子水清洗硅片,去除金屬顆粒。
9.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:所述硅片為使用金剛線切割制備得到的硅片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





