[發明專利]相變化記憶體的制備方法有效
| 申請號： | 201510401165.4 | 申請日： | 2015-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN105098070B | 公開（公告）日： | 2017-09-19 |
| 發明（設計）人： | 蘇水金 | 申請（專利權）人： | 江蘇時代全芯存儲科技有限公司;江蘇時代芯存半導體有限公司;英屬維京群島商時代全芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 223001 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 記憶體 制備 方法 | ||
1.一種相變化記憶體的制備方法，其特征在于，包含：
形成一第一罩幕層于一介電層上；
形成一第二罩幕層于該第一罩幕層上；
圖案化該第一罩幕層與該第二罩幕層，以暴露該第一罩幕層的一側面；
自該第一罩幕層的該側面處移除部分該第一罩幕層，以形成一柱狀突出物；
移除該第二罩幕層；
形成一加熱材料層共形地覆蓋該柱狀突出物的側壁與上表面；
移除該柱狀突出物的上表面的該加熱材料層，以自該加熱材料層形成一環狀加熱器環繞該柱狀突出物。
2.根據權利要求1所述的相變化記憶體的制備方法，其特征在于，還包含：
移除該柱狀突出物；
形成一絕緣層覆蓋該環狀加熱器；
平坦化該絕緣層以暴露該環狀加熱器；以及
形成一相變化層于該環狀加熱器上。
3.根據權利要求1所述的相變化記憶體的制備方法，其特征在于，是以一濕蝕刻制程自該第一罩幕層的該側面處移除部分該第一罩幕層。
4.根據權利要求3所述的相變化記憶體的制備方法，其特征在于，該濕蝕刻制程移除部分的該第二罩幕層，且該第一罩幕層的移除速率大于該第二罩幕層的移除速率。
5.根據權利要求1所述的相變化記憶體的制備方法，其特征在于，在形成該加熱材料層共形地覆蓋該柱狀突出物的側壁與上表面前，還包含：
形成一阻障層共形地覆蓋該柱狀突出物的側壁與上表面。
6.根據權利要求5所述的相變化記憶體的制備方法，其特征在于，是以一干蝕刻制程移除該柱狀突出物的上表面的該加熱材料層與該阻障層，且該干蝕刻制程停止于該柱狀突出物。
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