[發明專利]取向碳納米管集合體生產用基材以及取向碳納米管集合體的制造方法

在審

• 申請號: 201510399252.0
• 申請日: 2010-02-08
• 公開（公告）號: CN105002475A
• 公開（公告）日: 2015-10-28
• 發明（設計）人: 高井廣和;畠賢治;湯村守雄
• 申請（專利權）人: 日本瑞翁株式會社;獨立行政法人產業技術總合研究所
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京市嘉元知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11484
• 代理人: 張永新

1.一種取向碳納米管集合體生產用基材，其用來在表面生成取向碳納米管集合體，其具備金屬基板和，在該金屬基板的表面以及背面上形成的防滲碳層。

2.如權利要求1所記載的取向碳納米管集合體生產用基材，其中，在所述表面以及背面形成有防滲碳層的金屬基板的至少任意一面的防滲碳層上，形成有催化劑。

3.如權利要求1所記載的取向碳納米管集合體生產用基材，其中，所述金屬基板，是以Fe-Cr合金、Fe-Ni合金或者Fe-Cr-Ni合金中的任意1種合金作為材料的。

4.如權利要求1所記載的取向碳納米管集合體生產用基材，其中，所述金屬基板的厚度是0.05mm以上且3mm以下，該金屬基板的表面以及背面的面粗糙度：算術平均粗糙度為Ra≦3μm。

5.如權利要求1記載的取向碳納米管集合體生產用基材，其中，所述防滲碳層，是主要以陶瓷材料構成的。

6.一種取向碳納米管集合體的制造方法，是在如權利要求1至5中任一項所記載的取向碳納米管集合體生產用基材的表面上，生成所述取向碳納米管集合體的取向碳納米管集合體的制造方法，其中包括生成工序，將該取向碳納米管集合體生產用基材的周圍環境作為原料氣體環境；加熱該取向碳納米管集合體生產用基材以及原料氣體之中的至少任意一方；通過化學氣相沉積法，在所述取向碳納米管集合體生產用基材的表面上生成所述取向碳納米管集合體。