[發明專利]半導體器件的制造方法和襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201510397375.0
• 申請日: 2015-07-08
• 公開（公告）號: CN105261552B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 橋本良知;廣瀨義朗;原田勝吉;中村吉延;笹島亮太
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍,李文嶼

1.一種半導體器件的制造方法，包括如下工序：

通過對在表面形成有絕緣膜的襯底供給包含第一元素以及鹵族元素且不含氮的原料，來對所述絕緣膜的表面進行預處理；和

將非同時地進行對所述襯底供給所述原料的工序和對所述襯底供給包含第二元素的反應物的工序作為一循環，通過以規定次數進行該循環，在進行了所述預處理的所述絕緣膜的表面上形成包含所述第一元素以及所述第二元素的膜。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述預處理的工序中的所述原料的供給條件與形成所述膜的工序中的每一所述循環的所述原料的供給條件不同。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述預處理的工序中的所述原料的供給時間比形成所述膜的工序中的每一所述循環的所述原料的供給時間長。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述預處理的工序中的所述原料的供給流量比形成所述膜的工序中的所述原料的供給流量大。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述預處理的工序中的所述原料供給時的所述襯底所存在的空間的壓力比形成所述膜的工序中的所述原料供給時的所述襯底所存在的空間的壓力大。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述預處理的工序中，在所述絕緣膜的表面形成種晶層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述預處理的工序中，在所述絕緣膜的表面形成包含所述鹵族元素的種晶層。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

在所述預處理的工序中，在所述絕緣膜的表面形成包含所述第一元素和所述鹵族元素的種晶層。

9.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述種晶層的厚度是0.05nm以上且0.2nm以下。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述循環還包含對所述襯底供給包含第三元素的反應物的工序，

通過以規定次數進行所述循環，在進行了所述預處理的所述絕緣膜的表面上形成包含所述第一元素、所述第二元素以及所述第三元素的膜。

11.根據權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述循環還包含對所述襯底供給包含第四元素的反應物的工序，

通過以規定次數進行所述循環，在進行了所述預處理的所述絕緣膜的表面上形成包含所述第一元素、所述第二元素、所述第三元素以及所述第四元素的膜。

12.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述第一元素包含選自半導體元素以及金屬元素中的至少1種，所述鹵族元素包含選自Cl以及F中的至少1種。

13.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述第二元素包含選自C、N、O以及B中的至少1種。

14.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述絕緣膜包含選自氧化膜系的絕緣膜以及氮化膜系的絕緣膜中的至少1種。

15.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述膜的厚度是1nm以上且10nm以下。

16.一種襯底處理裝置，具有：

處理室，其收納襯底；

第一供給系統，其對所述處理室內的襯底供給包含第一元素以及鹵族元素且不含氮的原料；

第二供給系統，其對所述處理室內的襯底供給包含第二元素的反應物；以及

控制部，其構成為控制所述第一供給系統以及所述第二供給系統，以進行第一處理和第二處理，在所述第一處理中，通過對所述處理室內的在表面形成有絕緣膜的襯底供給所述原料，來對所述絕緣膜的表面進行預處理，在所述第二處理中，將非同時地進行對所述處理室內的所述襯底供給所述原料的處理和對所述處理室內的所述襯底供給所述反應物的處理作為一循環，通過以規定次數進行所述循環，由此在進行了所述預處理的所述絕緣膜的表面上形成包含所述第一元素以及所述第二元素的膜。