[發(fā)明專利]共晶鍵合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510397140.1 | 申請日： | 2015-07-08 |
| 公開（公告）號： | CN104966676B | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 丁劉勝;王旭洪;徐元俊 | 申請（專利權）人： | 上海新微技術研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/50 | 分類號： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京知元同創(chuàng)知識產權代理事務所(普通合伙)11535 | 代理人： | 劉元霞 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 共晶鍵合 方法 | ||
1.一種共晶鍵合方法，其特征在于，該方法包括：
在第一基片表面形成第一突起部和第一鍵合材料圖形；
在第二基片表面形成第二突起部和第二鍵合材料圖形；
將所述第一鍵合材料圖形和所述第二鍵合材料圖形對齊，并在預定壓力和預定溫度下按壓所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通過所述第一鍵合材料圖形和所述第二鍵合材料圖形發(fā)生共晶鍵合；
其中，在將所述第一鍵合材料圖形和所述第二鍵合材料圖形對齊的情況下，所述第一突起部的位置相對于所述第二突起部的位置具有偏移，
所述第一突起部相對于所述第一鍵合材料，靠近所述第一基片的中心；并且
所述第二突起部相對于所述第二鍵合材料，靠近所述第二基片的中心。
2.根據(jù)權利要求1所述的共晶鍵合方法，其中，
所述第一基片表面具有第一電路圖形，所述第一電路圖形相對于所述第一突起部，靠近所述第一基片的中心；和/或
所述第二基片表面具有第二電路圖形，所述第二電路圖形相對于所述第二突起部，靠近所述第二基片的中心。
3.根據(jù)權利要求1所述的共晶鍵合方法，其中，
所述第一突起部的厚度與所述第一鍵合材料圖形的厚度相同或不同；并且，
所述第二突起部的厚度與所述第二鍵合材料圖形的厚度相同或不同。
4.根據(jù)權利要求1所述的共晶鍵合方法，其中，
所述第一突起部被設置為沿所述第一基片的周向延伸；并且
所述第二突起部被設置為沿所述第二基片的周向延伸。
5.根據(jù)權利要求1所述的共晶鍵合方法，其中，
所述第一突起部在所述第一基片的徑向被周期性設置；
所述第二突起部在所述第二基片的徑向被周期性設置；并且
所述第一突起部的周期與所述第二突起部的周期相同。
6.根據(jù)權利要求5所述的共晶鍵合方法，其中，
所述第一突起部的位置相對于所述第二突起部的位置的偏移量為所述周期的一半。
7.根據(jù)權利要求1所述的共晶鍵合方法，其中，
所述第一突起部和所述第二突起部分別為多晶硅、氧化硅或氮化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
