[發明專利]半導體裝置、制造半導體裝置的方法及固態成像設備

有效

• 申請號: 201510397013.1
• 申請日: 2011-01-21
• 公開（公告）號: CN105070731B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 田谷圭司
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 趙國榮

1.一種半導體裝置，包括：

柵極電極，形成在基板上，該柵極電極和該基板之間具有柵極絕緣層；

絕緣層，具有能夠進行硅化物阻擋的特性和厚度，形成在該基板的第一區域中以覆蓋該柵極電極；

側壁，在該柵極電極的側面形成為至少部分地包括該絕緣層；

第一高濃度雜質區域，在形成該絕緣層前，在該基板的該第一區域中形成的該柵極電極的周邊區域中通過注入第一高濃度雜質而形成；

第二高濃度雜質區域，在形成該側壁后，在該基板的第二區域中形成的該柵極電極的該側壁的周邊區域中通過注入第二高濃度雜質而形成；以及

硅化物層，形成在該基板的該第二高濃度雜質區域的表面上，

其中，在形成第一高濃度雜質區域的過程中，沒有碰撞效應發生在不形成硅化物層的所述第一區域中。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該硅化物層還形成在于該第二區域中提供的該柵極電極的表面上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該第二高濃度雜質區域的形成區域根據因形成該第二高濃度雜質區域而引起的像素特征的劣化程度而決定。

4.一種制造半導體裝置的方法，包括如下步驟：

在基板上形成柵極電極，該基板包括不形成硅化物層的第一區域和形成硅化物層的第二區域，在該基板和該柵極電極之間具有柵極絕緣層；

在該第一區域中形成的該柵極電極的周邊區域中通過注入第一高濃度雜質而形成第一高濃度雜質區域；

在形成有該第一高濃度雜質區域的該基板上，形成具有能夠進行硅化物阻擋的特性和厚度的絕緣層以覆蓋該柵極電極；

在該柵極電極的側面形成至少部分地包括該絕緣層的側壁；

在該絕緣層的對應于該第二區域中形成的該柵極電極的該側壁的周邊區域的區域中形成開口部分，以暴露該基板的表面；

在該基板包括形成有該開口部分的該絕緣層的該第二區域中通過注入第二高濃度雜質形成第二高濃度雜質區域；以及

通過在形成有該開口部分的該絕緣層之上形成能夠硅化反應的金屬層并進行硅化反應而形成硅化物層，

其中，在形成第一高濃度雜質區域的步驟中，沒有碰撞效應發生在不形成硅化物層的所述第一區域中。

5.一種固態成像設備，包括：

柵極電極，形成在基板上，該柵極電極和該基板之間具有柵極絕緣層；

絕緣層，具有能夠進行硅化物阻擋的特性和厚度，形成在該基板的成像區域中以覆蓋該柵極電極；

側壁，在該柵極電極的側面形成為至少部分地包括該絕緣層；

第一高濃度雜質區域，在形成該絕緣層前，在該基板的該成像區域中形成的該柵極電極的周邊區域中通過注入第一高濃度雜質而形成；

第二高濃度雜質區域，在形成該側壁后，在該基板的周邊電路區域中形成的該柵極電極的該側壁的周邊區域中通過注入第二高濃度雜質而形成；

硅化物層，形成在該基板的該第二高濃度雜質區域的表面上；以及

光學系統，將入射光引導到該成像區域，

其中，在形成第一高濃度雜質區域的過程中，沒有碰撞效應發生在不形成硅化物層的所述成像區域中。