[發明專利]基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線

有效

• 申請號: 201510385364.0
• 申請日: 2015-06-30
• 公開（公告）號: CN104953271B
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發明（設計）人: 周建華;陳楠;金琬晴;游佰強;李杰;戚宇軒;楊林鵬
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q5/20;H01Q5/42;H01Q21/00
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙)35200
• 代理人: 馬應森

1.基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于為疊層結構，從上至下依次為上層貼片、上基板、夾層貼片、下基板、接地板，上層貼片為正方形敷銅層，在上層貼片上設有一矩形縫隙環，矩形縫隙環內為中心對稱放置、加載有CSRR左手特性結構的矩形貼片2×2的四元陣，CSRR左手特性結構由兩個開口方向相反的同心圓環構成，分離的四個矩形陣元內部加載的CSRR開口朝向依次有90°轉向，分離的四個矩形陣元由常規右手特性的中心對稱十字條帶隔離，用于控制矩形陣元及夾層花瓣陣元的左右手復合特性；在上層貼片一側設有饋電點，在分離的四個矩形陣元的中心設有短路釘；夾層貼片為中心對稱放置的左手特性的花瓣型貼片2×2的四元陣，每個花瓣型陣元是被兩個相互正交的窄邊矩形分割成花瓣型的圓環，中心為一個旋轉45°的矩形金屬過孔。

2.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述上基板采用介電常數為8～12的低耗高性能介質基板材料，上基板的厚度為0.1～2.0mm，所述下基板采用介電常數為2～5的低耗高性能介質基板材料，下基板的厚度為4～12mm。

3.如權利要求2所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述上基板采用介電常數為10.7的低耗高性能介質基板材料，所述下基板采用介電常數為2.2的低耗高性能介質基板材料。

4.如權利要求2所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述上基板和下基板均采用正方形基板，尺寸相同，正方形基板的邊長為10～30mm。

5.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述上層貼片的邊長為10～16mm，矩形縫隙環的邊長為3～10mm，矩形縫隙環的寬度為0.1～0.4mm。

6.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述分離的四個矩形陣元的邊長為1～5mm；CSRR左手特性結構外環的直徑為1～4mm，內環的直徑為0.5～3.5mm，環的寬度為0.1～0.4mm，開口縫寬為0.1～0.4mm。

7.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于十字條帶的臂長為2～9mm，臂寬為0.1～0.5mm，分離的四個矩形陣元和十字條帶之間的縫寬為0.1～0.4mm。

8.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述花瓣型陣元中圓環的直徑為1～6mm，兩個相互正交的窄邊矩形的長與圓環的直徑相等，寬為0.1～0.4mm，矩形金屬過孔的邊長為0.1～0.7mm。

9.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述接地板為下層貼片，敷有良導體層，接地板的邊長與上基板和下基板的邊長相同，為10～30mm。

10.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述饋電點位于上層貼片上，為穿透基板的圓柱孔，饋電點半徑為0.70mm±0.01mm。

11.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于所述短路釘為穿透基板的圓柱孔，短路釘的半徑為0.30mm±0.01mm。

12.如權利要求1所述基于陣列帶花瓣型夾層及條帶控制的左右手復合天線，其特征在于雙頻工作頻段為3.351～3.411GHz和5.214～5.558GHz。