[發(fā)明專利]氮化鎵基低漏電流懸臂梁的與非門有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510380064.3 | 申請日： | 2015-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN105140227B | 公開（公告）日： | 2017-12-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 廖小平;褚晨蕾 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H01L29/84 | 分類號： | H01L29/84;H01L21/336;B81B7/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249 | 代理人： | 楊曉玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 鎵基低 漏電 懸臂梁 與非門 | ||
1.一種氮化鎵基低漏電流懸臂梁的與非門，其特征在于該與非門制作在半絕緣型GaN襯底(1)上，由兩個N型溝道MESFET(11)和電阻R順序串聯(lián)所構(gòu)成，該N型溝道MESFET(11)包括源極、漏極、柵極和溝道，這兩個N溝道MESFET(11)具有懸浮的懸臂梁(4)，該懸臂梁(4)的一端固定在錨區(qū)(2)上，另一端橫跨在柵極(10)上方且與柵極(10)之間有一間隙，偏置信號連接到懸臂梁(4)上，懸臂梁(4)由Au材料制作的，在懸臂梁(4)下方設有兩個下拉電極(5)，下拉電極(5)是接地的，其上還覆蓋有氮化硅介質(zhì)層(6)，這種結(jié)構(gòu)可以大大減小柵極泄漏電流，從而降低器件的功耗。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵基低漏電流懸臂梁的與非門，其特征在于兩個N型溝道MESFET(11)的閾值電壓設計為相等，而懸臂梁的下拉電壓設計為與N型溝道MESFET(11)的閾值電壓相等；只有當N型溝道MESFET(11)的懸臂梁(4)與下拉電極之間的電壓大于閾值電壓時，懸浮的懸臂梁(4)才會下拉貼至柵極(10)上使得N型溝道MESFET(11)導通，否則N型溝道MESFET(11)就截止。
3.如權(quán)利要求2所述的氮化鎵基低漏電流懸臂梁的與非門，其特征在于所述的兩個N型溝道MESFET(11)的懸臂梁(4)上都存在高電平時，N型溝道MESFET(11)的懸臂梁(4)就會下拉并使其導通，此時輸出低電平；當兩個N型溝道MESFET(11)的懸臂梁(4)上分別出現(xiàn)一高電平和一低電平時，只有一個N型溝道MESFET(11)的懸臂梁(4)會下拉，電路無法形成回路，此時輸出高電平；當兩個N型溝道MESFET(11)的懸臂梁(4)上都存在低電平時，N型溝道MESFET(11)的懸臂梁(4)還是處于懸浮狀態(tài)，沒有導通，因此輸出高電平。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東南大學，未經(jīng)東南大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510380064.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：陣列基板及其制備方法以及液晶顯示器
- 下一篇：一種消除負摩阻力的地基處理方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
