[發明專利]硅基低漏電流四懸臂梁可動柵MOS管的RS觸發器

有效

• 申請號: 201510380043.1
• 申請日: 2015-07-01
• 公開（公告）號: CN104935300B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 廖小平;王小虎
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03K3/012
• 分類號: H03K3/012;H03K3/02
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249
• 代理人: 楊曉玲

1.一種硅基低漏電流四懸臂梁可動柵NMOS管的RS觸發器，其特征是該RS觸發器由一個四懸臂梁可動柵NMOS管(1)、兩個電阻(2)和電源組成，該硅基低漏電流四懸臂梁可動柵NMOS管(1)制作在P型Si襯底(3)上，該四懸臂梁可動柵NMOS管(1)含有源極，漏極，柵極，形成漏極-源極-漏極的結構，在源極(10)和兩個漏極(11)之間分別有兩個用Al制作的懸臂梁柵(6)，懸臂梁柵(6)不是附在氧化層上，而是依靠錨區(7)的支撐懸浮在二氧化硅層(5)的上方，懸臂梁柵(6)的下拉電壓設計得與該NMOS管的閾值電壓相等，只有當四懸臂梁可動柵NMOS管(1)的懸臂梁柵(6)上所加的電壓大于NMOS管的閾值電壓時，其懸臂梁柵(6)才能下拉并接觸二氧化硅層(5)從而使懸臂梁柵NMOS管導通，當所加電壓小于NMOS管的閾值電壓時懸臂梁柵就不能下拉，在該RS觸發器工作時，當四懸臂梁可動柵NMOS管(1)處于關斷時其懸臂梁柵(6)就處于懸浮態，降低了柵極漏電流，從而降低了電路的功耗，源極(10)左側兩個懸臂梁柵(6)的懸浮端之間留有一縫隙以保證兩個懸臂梁柵(6)下拉時互不干擾,兩個懸臂梁柵(6)的位置關于該NMOS管漏-源-漏方向對稱，同樣地，源極(10)右側的兩個懸臂梁柵(6)也是如此；該四懸臂梁可動柵NMOS管(1)的懸臂梁柵(6)的錨區(7)用多晶硅制作在二氧化硅層(5)上，懸臂梁柵(6)下方設計有下拉電極板(8)，下拉電極板(8)接地，下拉電極板(8)在懸臂梁柵(6)下的部分被二氧化硅層(5)覆蓋，該四懸臂梁可動柵NMOS管(1)的N+有源區源極(10)接地，四懸臂梁可動柵NMOS管(1)的兩個漏極(11)分別通過電阻(2)與電源VCC相連，源極(10)和漏極(11)分別通過通孔(9)與引線(4)連接，引線(4)用Al制作；在該RS觸發器的源極(10)左側和右側各有一個懸臂梁柵(6)作為該RS觸發器的輸入端S和R，源極(10)左側另外的一個懸臂梁柵(6)通過引線(4)與右側的漏極(11)相連，同樣地，源極右側另外一個懸臂梁柵(6)通過引線與左側的漏極(11)相連，形成對稱的結構，輸出端Q在源極右側的漏極(11)和電阻(2)之間輸出，輸出端在源極左側的漏極(11)和電阻(2)之間輸出，為了保證當該NMOS管導通時由電阻分壓得出輸出為低電平，電阻(2)的阻值遠大于該NMOS管導通的阻抗。