[發明專利]光刻圖形的形成方法有效

申請號：	201510378617.1	申請日：	2015-07-01
公開（公告）號：	CN106324998B	公開（公告）日：	2019-07-02
發明（設計）人：	王輝	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
主分類號：	G03F7/20	分類號：	G03F7/20;G03F7/30
代理公司：	北京集佳知識產權代理有限公司 11227	代理人：	吳敏
地址：	201203 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	光刻圖形負光刻膠層曝光區顯影非曝光區顯影液基底尺寸均勻性曝光側壁表面側壁形貌去除暴露
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【權利要求書】：

1.一種光刻圖形的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有負光刻膠層；

對部分所述負光刻膠層進行曝光，曝光光線經過掩膜版后對基底上的負光刻膠層進行曝光，負光刻膠層對應被光照的區域形成曝光區，未被曝光的區域為非曝光區，且進行曝光時，曝光區域表面部分光酸會向未曝光區的表面擴散，使得未曝光區表面的部分光刻膠材料也會發生光固化反應或交聯反應，在未曝光區的表面形成不溶于第二顯影時的顯影液的光刻膠材料；

采用水基顯影液進行第一顯影，去除部分厚度的曝光區，暴露出非曝光區的頂部和部分側壁表面，使得非曝光區的頂部側壁邊緣表面和頂部表面不會被曝光區材料覆蓋；

第一顯影后，采用有機顯影液進行第二顯影，去除非曝光區，形成光刻圖形。

2.如權利要求1所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，所述水基顯影液為TMAH的水溶液。

3.如權利要求2所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，所述TMAH水溶液的體積百分比濃度為0.1％～3％。

4.如權利要求3所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，所述第一顯影的時間為1～100秒，TMAH的水溶液的溫度為22～23攝氏度。

5.如權利要求1所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，所述負光刻膠層的厚度為40-1000nm。

6.如權利要求1所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，所述曝光區的被去除厚度為20～150埃。

7.如權利要求1所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，所述有機顯影液為正丁醇溶液。

8.如權利要求7所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，正丁醇溶液的體積百分比濃度為0.5-10％。

9.如權利要求1所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，還包括：在進行曝光后，進行曝光后熱處理。

10.如權利要求9所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，曝光后熱處理的溫度為100～250攝氏度，時間為50～120秒。

11.如權利要求9所述的光刻圖形的形成方法，其特征在于，還包括：曝光后熱處理后進行冷卻處理。