[發(fā)明專利]一種主動(dòng)發(fā)光顯示器件像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510375007.6
• 申請日: 2015-06-30
• 公開（公告）號: CN104992668A
• 公開（公告）日: 2015-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何東陽
• 申請（專利權(quán)）人: 何東陽
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種主動(dòng)發(fā)光顯示器件像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法。

背景技術(shù)

主動(dòng)發(fā)光器件，如AMOLED顯示技術(shù)因其高色度域，高響應(yīng)速度，更輕薄等特點(diǎn)，目前正取代LCD技術(shù)而逐漸成為下一代顯示技術(shù)領(lǐng)域有力的競爭者。目前采用LTPS器件驅(qū)動(dòng)的AMOLED顯示技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)。目前很多研究機(jī)構(gòu)也研究在單晶硅襯底上做單晶硅MOS管驅(qū)動(dòng)的AMOLED或AMLED器件的技術(shù)。另外，也有很多研究機(jī)構(gòu)在研究非晶硅和氧化物半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)AMOLED的量產(chǎn)可行性。

由于金屬走線必然存在的電阻，因此，主動(dòng)發(fā)光器件需要的電流在金屬線上傳輸時(shí)會(huì)產(chǎn)生電壓降。導(dǎo)致陰極和陽極電壓在顯示區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生不均一性。傳輸線長的區(qū)域的電壓降比較大。陰極陽極的電壓影響驅(qū)動(dòng)管的Vgs電壓，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電流的不均一性進(jìn)而導(dǎo)致顯示亮度的不均一性。另一方面，同樣的一個(gè)顯示顏色，因整體顯示內(nèi)容的不同而不同，因此，色彩還原性差。

目前改善不均一性的辦法是，增加陰極/陽極的電壓，增加Vgs，從而降低電壓降在Vgs中的比例，進(jìn)而控制亮度均一性。另外一方面，減小驅(qū)動(dòng)晶體管的寬長比，以平衡增加Vgs電壓帶來電流的增加。這種辦法可以改善亮度不均一性，但是，會(huì)大幅增加功耗。也無法改變色彩還原性差的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種主動(dòng)發(fā)光顯示器件像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法，用以實(shí)現(xiàn)顯示的均一性和色彩還原性不受電壓降影響。同時(shí)，因?yàn)殡娐凡恍枰紤]電壓降導(dǎo)致的均一性的問題，可以大大降低陰極與陽極之間的電壓值，使功耗可以大為降低。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種主動(dòng)發(fā)光顯示器件像素電路，至少包括狀態(tài)寫入晶體管T1，狀態(tài)存儲電容Cs，驅(qū)動(dòng)晶體管T4，發(fā)光器件OLED，所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端通過第一晶體管T3與第一電壓信號相連接、通過第二晶體管T2與第二電壓信號相連接；其中，所述第一電壓信號為給所述發(fā)光器件OLED提供電流的陽極電壓源或陰極電壓源；所述第二電壓信號為不給所述發(fā)光器件OLED提供電流的獨(dú)立電源；所述第一晶體管T3的柵極與第一信號線連接，所述第二晶體管T2的柵極與第二信號線連接；

所述狀態(tài)存儲電容Cs的另一端分別與所述狀態(tài)寫入晶體管T1的第一電極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管T4的柵極相連接；

所述狀態(tài)寫入晶體管T1的柵極與柵極掃描信號線Gate相連接，所述狀態(tài)寫入晶體管T1的第二電極與數(shù)據(jù)信號Data線連接；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管T4的第一電極與所述第一電壓信號相連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管T4的第二電極與所述發(fā)光器件的相連接。

進(jìn)一步地，所述第二晶體管T2的第一電極與所述第二電壓信號相連接、第二電極與所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端相連接，以使所述狀態(tài)存儲電容Cs的狀態(tài)更新時(shí)，所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端因所述第二晶體管T2的打開而寫入第二電壓信號；

所述第一晶體管T3的第一電極與所述第一電壓信號相連接、第二電極與所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端相連接，以使所述狀態(tài)存儲電容Cs的狀態(tài)保持時(shí)，使得所述狀態(tài)存儲電容Cs的一端因所述第一晶體管T3的打開而寫入第一電壓信號。

進(jìn)一步地，所述第二電壓信號的電壓V_dd0與所述陽極電壓源或陰極電壓源未經(jīng)過走線衰減時(shí)的電壓值相等；

所述第一電壓信號的電壓V_ddi與所述陽極電壓源或陰極電壓源經(jīng)過走線衰減后的電壓值相等。

進(jìn)一步地，所述第一信號線為發(fā)光控制信號線EMIT；所述第二信號線為柵極掃描信號線Gate。

進(jìn)一步地，還包括與所述發(fā)光器件OLED串聯(lián)的發(fā)光控制晶體管T5，所述發(fā)光控制晶體管T5的柵極與第一信號線連接，所述發(fā)光控制晶體管T5的第一電極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管T4的第二電極連接。

進(jìn)一步地，所述第一電壓信號為給所述發(fā)光器件OLED提供電流的陽極電壓源時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管T4的第二電極與所述發(fā)光器件OLED的陽極相連接；或者，

所述第一電壓信號為給所述發(fā)光器件OLED提供電流的陰極電壓源時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)晶體管T4的第二電極與所述發(fā)光器件OLED的陰極相連接。

基于相同的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種主動(dòng)發(fā)光顯示器件像素電路，包括上述像素電路。

進(jìn)一步地，還包括用于補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的補(bǔ)償電路，所述補(bǔ)償電路至少與所述第一電壓信號、所述狀態(tài)存儲電容、所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述發(fā)光器件連接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種主動(dòng)發(fā)光顯示器件像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，應(yīng)用于主動(dòng)發(fā)光顯示器件像素電路，具體包括：