[發(fā)明專利]可選S頻段或UHF頻段的高性能濾波器組

有效

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• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN104967421A
• 公開（公告）日: 2015-10-07
• 發(fā)明（設計）人: 楊茂雅;周圍;戴永勝;劉毅;喬冬春;李博文;陳燁
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: H03H7/01
• 分類號: H03H7/01
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 朱寶慶

技術領域

本發(fā)明涉及一種濾波器技術，特別是一種可選S頻段或UHF頻段的高性能濾波器組。

背景技術

近年來，隨著移動通信、衛(wèi)星通信及國防電子系統(tǒng)的微型化的迅速發(fā)展，高性能、低成本和小型化已經(jīng)成為目前微波/射頻領域的發(fā)展方向，對微波元器件的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。微波器件的小型化和輕量化取決于材料科學技術與電磁技術的發(fā)展，基于低溫共燒技術(LTCC技術)多層結構大大減小了器件的尺寸，為微波無源器件的小型化和輕便化奠定了良好的基礎。濾波器一直是各種微波集成電路中的重要組成部件，描述這種部件性能的主要指標有：頻率范圍、插入損耗、駐波比、反射系數(shù)、相位平衡度、溫度穩(wěn)定性、體積、重量、可靠性等。

低溫共燒陶瓷是一種電子封裝技術，采用多層陶瓷技術，能夠將無源元件內置于介質基板內部，同時也可以將有源元件貼裝于基板表面制成無源/有源集成的功能模塊。LTCC技術在成本、集成封裝、布線線寬和線間距、低阻抗金屬化、設計多樣性和靈活性及高頻性能等方面都顯現(xiàn)出眾多優(yōu)點，已成為無源集成的主流技術。其具有高Q值，便于內嵌無源器件，散熱性好，可靠性高，耐高溫，沖震等優(yōu)點，利用LTCC技術，可以很好的加工出尺寸小，精度高，緊密型好，損耗小的微波器件。由于LTCC技術具有三維立體集成優(yōu)勢，在微波頻段被廣泛用來制造各種微波無源元件，實現(xiàn)無源元件的高度集成。基于LTCC工藝的疊層技術，可以實現(xiàn)三維集成，從而使各種微型正交器具有尺寸小、重量輕、性能優(yōu)、可靠性高、批量生產(chǎn)性能一致性好及低成本等諸多優(yōu)點，利用其三維集成結構特點，可以實現(xiàn)可選S頻段或UHF頻段的高性能濾波器組。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種可選S頻段或UHF頻段的高性能濾波器組，包括一接收輸入信號的單刀雙擲開關芯片，以及與與單刀雙擲開關芯片兩個輸出端分別連接的UHF波段半集總半分結構濾波器和S波段分布式結構濾波器。該組合具有可選擇相應頻段輸出、體積小、使用方便、重量輕、可靠性高、電性能優(yōu)異、結構簡單、成品率高、批量一致性好、造價低、溫度性能穩(wěn)定等特點。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，所述UHF波段半集總半分結構濾波器包括：與單刀雙擲開關芯片第一輸出端連接的第一輸入端，與第一輸入端連接的第一輸入電感，與第一輸入電感連接的第一螺旋電感，與第一輸入電感連接的第三螺旋電感，與第一螺旋電感輸出端連接的第一并聯(lián)電容，與第二螺旋電感輸出端連接的第三并聯(lián)電容，一第二輸出端，與第二輸出端連接的第一輸出電感，與第一輸出電感連接的第二螺旋電感，與第一輸出電感連接的第四螺旋電感，與第二螺旋電感輸出端連接的第二并聯(lián)電容，與第四螺旋電感輸出端連接的第四并聯(lián)電容，位于螺旋電感和并聯(lián)電容下方的第一Z型電容；所述第一螺旋電感、第三螺旋電感上下平行設置；所述第二螺旋電感、第四螺旋電感上下平行設置；所述第一并聯(lián)電容、第二并聯(lián)電容、第三并聯(lián)電容、第四并聯(lián)電容另一端接地。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，所述S波段分布式結構濾波器包括四級諧振，每一級諧振具有三層板，所述S波段分布式結構濾波器還包括：與單刀雙擲開關芯片第二輸出端連接連接的第三輸入端，與第三輸入端連接的第二輸入電感，一第四輸出端，與第四輸出端連接的第二輸出電感，位于四級諧振下方的第二Z型電容；所述第一級諧振的中間層板與第二輸入電感連接；所述第四級諧振的中間層板與第二輸出電感連接。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有以下優(yōu)點：(1)可自由選擇輸出的信號；(2)使用簡單方便；(3)體積小、重量輕、可靠性高；(4)電性能優(yōu)異；(5)成本低；(6)電路實現(xiàn)結構簡單，可實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

下面結合說明書附圖對本發(fā)明做進一步描述。

附圖說明

圖1是本發(fā)明可選S頻段或UHF頻段的高性能濾波器組整體結構框圖。

圖2是本發(fā)明單刀雙擲開關芯片WKD102010040的結構示意圖。

圖3是本發(fā)明UHF波段半集總半分布結構濾波器的結構示意圖。

圖4是本發(fā)明S波段分布式結構濾波器的結構示意圖。

圖5是本發(fā)明UHF波段半集總半分布結構濾波器的插損和駐波特性曲線。

圖6是本發(fā)明S波段分布式結構濾波器的插損和駐波特性曲線。

圖7是本發(fā)明可選S頻段高性能濾波器組的輸出曲線。

圖8是本發(fā)明可選UHF頻段高性能濾波器組的輸出曲線。

具體實施方式