[發(fā)明專利]一種射線檢測(cè)基板及其制造方法和射線探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510369712.5
• 申請(qǐng)日: 2015-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105093256B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭煒;劉興東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G01T1/202
• 分類號(hào): G01T1/202;G01T1/24;H01L27/146
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201
• 代理人: 黃德海

1.一種射線檢測(cè)基板，其特征在于，包括：襯底基板、形成于襯底基板上的薄膜晶體管和信號(hào)存儲(chǔ)單元；

所述薄膜晶體管包括柵極、絕緣層、有源層、源極、漏極和鈍化層；

所述信號(hào)存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容的第一電極在所述絕緣層上形成，并與所述漏極搭接；所述存儲(chǔ)電容的第二電極連接接地線；

所述鈍化層在所述源極、所述漏極、所述第一電極、所述接地線上形成。

2.如權(quán)利要求1所述的射線檢測(cè)基板，其特征在于，所述第一電極是由透明導(dǎo)電材料制成。

3.如權(quán)利要求1或2所述的射線檢測(cè)基板，其特征在于，所述第二電極是透明導(dǎo)電材料制成。

4.如權(quán)利要求1或2所述的射線檢測(cè)基板，其特征在于，所述鈍化層設(shè)置有至少部分地露出所述接地線的第一過(guò)孔，所述第二電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述接地線連接。

5.如權(quán)利要求1或2所述的射線檢測(cè)基板，其特征在于，還包括鈍化層上形成平坦化層、第三電極，所述第三電極在所述平坦化層上形成；

所述第三電極通過(guò)在所述平坦化層、所述鈍化層上形成有至少部分地露出所述第一電極的第二過(guò)孔與所述第一電極連接。

6.如權(quán)利要求1或2所述的射線檢測(cè)基板，其特征在于，所述接地線與所述源極、所述漏極使用相同材料同步形成。

7.一種射線探測(cè)器，其特征在于，所述射線探測(cè)器包括權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的射線檢測(cè)基板。

8.一種射線檢測(cè)基板的制造方法，其特征在于，所述射線檢測(cè)基板包括襯底基板、形成于襯底基板上的薄膜晶體管和信號(hào)存儲(chǔ)單元；

所述薄膜晶體管包括柵極、絕緣層、有源層、源極、漏極和鈍化層；

所述信號(hào)存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容包括第一電極；

所述方法包括如下步驟：

依次在所述襯底基板上形成所述柵極、所述絕緣層、所述有源層、所述源極、所述漏極和接地線；

在所述絕緣層上形成所述第一電極并與所述漏極搭接；

在所述源極、所述漏極、所述第一電極、所述接地線上形成所述鈍化層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述源極、所述漏極與所述接地線使用相同材料同步形成。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)電容還包括第二電極，所述方法還包括形成第二電極層的步驟，具體包括：

在所述鈍化層上形成有至少部分地露出所述接地線的第一過(guò)孔，在所述鈍化層上、所述第一過(guò)孔域形成所述第二電極與所述接地線接觸。

11.如權(quán)利要求8-10任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括依次在所述鈍化層上形成平坦化層、第三電極的步驟。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述形成第三電極的步驟具體包括：

在在所述平坦化層、所述鈍化層上形成有至少部分地露出所述第一電極的第二過(guò)孔，在所述平坦化層、所述第二過(guò)孔形成與所述第一電極接觸的所述第三電極。