[發明專利]側墻的形成方法有效
| 申請號： | 201510369468.2 | 申請日： | 2015-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN104900514B | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 崇二敏;朱軼錚 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/31 | 分類號： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/71 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 方法 | ||
1.一種側墻的形成方法，其特征在于，其包括以下步驟：
步驟S01，提供一形成有柵極以及柵極兩側源漏區的硅片，在所述硅片表面依次沉積氧化硅層和氮化硅層；
步驟S02，利用干法刻蝕，去除所述源漏區以及柵極頂部的氮化硅層，并停留在氧化硅層上，以在所述柵極兩側形成垂直于硅片的氮化硅側墻；
步驟S03，利用濕法刻蝕，去除暴露出來的源漏區表面以及柵極頂部的氧化硅層，并采用過刻蝕方法去除所述氮化硅側墻底部的氧化硅層；
步驟S04，利用濕法刻蝕，去除所述氮化硅側墻，以在所述柵極兩側形成垂直于硅片的氧化硅側墻。
2.根據權利要求1所述的側墻的形成方法，其特征在于：步驟S02包括利用等離子體干法刻蝕對所述氮化硅層進行回刻。
3.根據權利要求2所述的側墻的形成方法，其特征在于：步驟S02采用含有CH2F2、CHF3的混合氣體作為刻蝕氣體。
4.根據權利要求1所述的側墻的形成方法，其特征在于：步驟S03包括利用低濃度氫氟酸溶液作為刻蝕液體，其中，所述低濃度氫氟酸溶液包括水和質量百分比濃度為49wt％的HF，且水和49wt％的HF的體積比為350：1～450：1。
5.根據權利要求1所述的側墻的形成方法，其特征在于：步驟S04包括利用熱磷酸溶液作為刻蝕液體。
6.根據權利要求5所述的側墻的形成方法，其特征在于：步驟S04采用含有磷酸和水的混合液作為刻蝕液體，磷酸的質量百分比濃度為70-90％，熱磷酸溶液的溫度為150-180℃。
7.根據權利要求1所述的側墻的形成方法，其特征在于：步驟S01包括利用原子層沉積工藝沉積氧化硅層以及利用化學氣相沉積工藝沉積氮化硅層。
8.根據權利要求7所述的側墻的形成方法，其特征在于：步驟S01中氧化硅層的厚度為2-5納米，氮化硅層的厚度為5-10納米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
