[發明專利]制造藍寶石基底的方法及制造第III族氮化物半導體發光器件的方法

在審

• 申請號: 201510369433.9
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN105225927A
• 公開（公告）日: 2016-01-06
• 發明（設計）人: 谷山嘉紀;松谷哲也
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;蘇虹

1.一種制造藍寶石基底的方法，所述方法包括如下步驟：

通過光刻在藍寶石晶片的第一表面上形成第一抗蝕劑圖案；

通過蝕刻所述第一抗蝕劑圖案來形成第二抗蝕劑圖案；

以所述第二抗蝕劑圖案作為掩模來蝕刻所述藍寶石晶片的所述第一表面；并且

形成所述第二抗蝕劑圖案包括：

在第一階段期間，通過向所述第一抗蝕劑圖案提供氯基氣體來蝕刻所述第一抗蝕劑圖案；

在第二階段期間，向通過蝕刻所述第一抗蝕劑圖案獲得的中間抗蝕劑圖案輻照被制成等離子體的稀有氣體；以及

在第三階段期間，通過提供氯基氣體并且對所述中間抗蝕劑圖案進行蝕刻來形成所述第二抗蝕劑圖案。

2.根據權利要求1所述的制造藍寶石基底的方法，其中

蝕刻所述第一抗蝕劑圖案和蝕刻所述中間抗蝕劑圖案進行為將所述第一抗蝕劑圖案的形狀布置成為所述第二抗蝕劑圖案的形狀；以及

在將所述抗蝕劑圖案布置成所述第二抗蝕劑圖案期間，執行輻照等離子體。

3.根據權利要求1所述的用于制造藍寶石基底的方法，其中

所述第一抗蝕劑圖案具有與所述藍寶石晶片的所述第一表面相交的第一表面；

所述第二抗蝕劑圖案具有與所述藍寶石晶片的所述第一表面相交的第二表面；

相交的第一表面與所述藍寶石晶片的所述第一表面之間的角度在75°至90°的范圍內；并且

相交的第二表面與所述藍寶石晶片的所述第一表面之間的角度在45°至65°的范圍內。

4.根據權利要求1所述的制造藍寶石基底的方法，其中

所述第一抗蝕劑圖案具有與所述藍寶石晶片的所述第一表面相交的第一表面；

所述第二抗蝕劑圖案具有與所述藍寶石晶片的所述第一表面相交的第二表面；并且

相交的第二表面與所述藍寶石晶片的所述第一表面之間的角度比相交的第一表面與所述藍寶石晶片的所述第一表面之間的角度小10°以上。

5.根據權利要求3所述的制造藍寶石基底的方法，其中

所述第一抗蝕劑圖案具有與所述藍寶石晶片的所述第一表面相交的第一表面；

所述第二抗蝕劑圖案具有與所述藍寶石晶片的所述第一表面相交的第二表面；并且

所述相交的第二表面與所述藍寶石晶片的所述第一表面之間的角度比所述相交的第一表面與所述藍寶石晶片的所述第一表面之間的角度小10°以上。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的制造藍寶石基底的方法，其中

所述第一抗蝕劑圖案為截頭圓錐形狀或截頭多棱錐形狀；以及

所述第二抗蝕劑圖案為圓錐形狀或多棱錐形狀。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的制造藍寶石基底的方法，其中

在開始輻照等離子體時，開始提供所述稀有氣體；

在結束輻照等離子體時，停止提供所述稀有氣體。

8.根據權利要求6所述的制造藍寶石基底的方法，其中

在開始輻照等離子體時，開始提供所述稀有氣體；

在結束輻照等離子體時，停止提供所述稀有氣體。

9.一種用于制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，所述方法包括如下步驟：

通過根據權利要求1至5中任一項所述的制造藍寶石基底的方法制造藍寶石基底；

在所述藍寶石基底的第一表面上形成第III族氮化物半導體層；以及

在所述第III族氮化物半導體層上形成電極。