[發(fā)明專利]高介電常數的陶瓷?聚合物復合材料及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510367647.2
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN104985896B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發(fā)明（設計）人: 吳佩萱;房飛宇;張麟;陳新;王晗;陳新度;劉強
• 申請（專利權）人: 廣東工業(yè)大學
• 主分類號: B32B27/08
• 分類號: B32B27/08;B32B27/18;B32B27/20
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205
• 代理人: 譚英強,鄭澤萍

1.高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，包括：

步驟1、將硅烷偶聯(lián)劑溶在第一溶劑中，制備成第一溶液；

步驟2、將陶瓷粉末與第一溶液混合后，制備成懸浮液；

步驟3、將聚合物材料溶在第二溶劑中，制備成第二溶液；

步驟4、將懸浮液與第二溶液混合后，制備成陶瓷-聚合物復合材料漿體；

步驟5、將陶瓷-聚合物復合材料漿體制備成固態(tài)薄膜后，采用熱處理方法使固態(tài)薄膜改性；

步驟6、將兩固態(tài)薄膜中聚合物密度較大的面壓合在一起后，制成多層復合材料。

2.根據權利要求1所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，所述硅烷偶聯(lián)劑選自乙烯基硅烷、氨基硅烷、環(huán)氧基硅烷、巰基硅烷以及甲基丙烯酰氧基硅烷偶聯(lián)劑中的至少一種，所述第一溶劑選自甲醇、乙醇、異丙醇、甲苯以及丙酮中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，所述陶瓷粉末選自鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鍶鋇、鈦酸銅鈣以及La、Ce、Nd、Eu和Fe多摻雜鈦酸鋇中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，所述聚合物材料選自聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚乙烯-四氟乙烯、聚偏氟乙烯-三氟乙烯、聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯以及聚偏氟乙烯-三氟乙烯-二氟氯乙烯中的至少一種，所述第二溶劑選自氮氮二甲基甲酰胺、乙酸乙酯、丙酮、甲苯、四氫呋喃以及氯仿中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，所述懸浮液中，硅烷偶聯(lián)劑占陶瓷粉末總質量的1%~10%或占陶瓷粉末總體積的5%~30%。

6.根據權利要求1所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，所述陶瓷-聚合物復合材料漿體中，陶瓷粉末與聚合物材料的體積比X的取值范圍為：0<X≤50%。

7.根據權利要求1所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1，其具體為：

將硅烷偶聯(lián)劑加入第一溶劑中使其水解獲得水解溶液后，將水解溶液充分攪拌，制備成第一溶液。

8.根據權利要求1所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，所述步驟4，其具體為：

將懸浮液與第二溶液充分混合后進行超聲分散，制備成陶瓷-聚合物復合材料漿體。

9.根據權利要求1所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，所述步驟5，其具體為：

將陶瓷-聚合物復合材料漿體通過溶液流延法在石英片上制備成固態(tài)薄膜后，采用熱處理方法使固態(tài)薄膜改性。

10.高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料，其特征在于，該復合材料是采用權利要求1至9中任一項所述的高介電常數的陶瓷-聚合物復合材料的制備方法制成的。