[發明專利]一種高隔離度射頻開關電路有效
| 申請號： | 201510367290.8 | 申請日： | 2015-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN104953996B | 公開（公告）日： | 2018-01-09 |
| 發明（設計）人： | 劉成鵬;王國強;何崢嶸;鄒偉;蒲顏 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十四研究所 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 隔離 射頻 開關電路 | ||
1.一種高隔離度射頻開關電路，其特征在于，包括基本單刀單擲射頻開關單元和濾波器單元；其中，
所述基本單刀單擲射頻開關單元包括NMOS管M1b、NMOS管M2b、NMOS管M3b、NMOS管M4b、NMOS管M5b、電阻R1b、電阻R2b、電阻R3b、電阻R4b、電阻R5b和電阻R6b，所述NMOS管M1b的漏極與信號輸入端VIN相連，NMOS管M1b的源極與NMOS管M2b和NMOS管M4b的漏極相連，NMOS管M2b的源極與NMOS管M3b和NMOS管M5b的漏極以及電阻R6b的一端相連，NMOS管M3b的源極與電阻R6b的另一端和信號輸出端VOUT連接，NMOS管M4b和NMOS管M5b的源極連接在一起且連接點為C，電阻R1b的一端與NMOS管M1b的柵極相連，電阻R2b的一端與NMOS管M2b的柵極相連，電阻R3b的一端與NMOS管M3b的柵極相連，電阻R1b的另一端、電阻R2b的另一端和電阻R3b的另一端均與控制端B連接，電阻R4b的一端與NMOS管M4b的柵極相連，電阻R5b的一端與NMOS管M5b柵極相連，電阻R4b的另一端和電阻R5b的另一端均與控制端A連接；
所述濾波器單元包括電感L1b、電感L2b、電感L3b和電容C1b，所述電感L1b的一端與連接點C連接，電感L1b的另一端與電感L3b的一端連接，電感L3b的另一端接地，電感L2b的一端與連接點C連接，電感L2b的另一端與電容C1b的一端連接，電容C1b的另一端接地；
通過調整電感L3b和電容C1b的值，有針對性的提高射頻開關在不同頻率下的隔離度。
2.根據權利要求1所述的高隔離度射頻開關電路，其特征在于，所述控制端A和控制端B均為高低電位信號。
3.根據權利要求2所述的高隔離度射頻開關電路，其特征在于，所述高電位的電壓為2.4～5V，所述低電位的電壓為0～0.8V。
4.根據權利要求1所述的高隔離度射頻開關電路，其特征在于，所述電阻R1b、電阻R2b、電阻R3b、電阻R4b和電阻R5b的電阻值為3～8KΩ。
5.根據權利要求1所述的高隔離度射頻開關電路，其特征在于，所述電感L1b和電感L2b的電感值為0.2～0.5nH。
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