[發明專利]多晶硅電阻的制造方法

在審

• 申請號: 201510367275.3
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN105047533A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: 袁苑;陳瑜
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種多晶硅電阻的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在半導體襯底表面形成多晶硅薄膜；

步驟二、進行第一次P型離子注入在所述多晶硅薄膜中摻入P型雜質；

步驟三、進行第二次N型離子注入在所述多晶硅薄膜中摻入N型雜質；

所述多晶硅薄膜中的P型雜質濃度大于N型雜質濃度，所述多晶硅薄膜中的P型雜質和N型雜質進行反向摻雜并由二者的雜質濃度差確定所述多晶硅薄膜的電阻，通過降低所述多晶硅薄膜中的P型雜質和N型雜質的濃度差提高所述多晶硅薄膜的電阻；

同時所述多晶硅薄膜中的P型雜質的體濃度和N型雜質的體濃度的和大于1E19cm^-3，通過提高所述多晶硅薄膜中的P型雜質和N型雜質的體濃度的和降低所述多晶硅薄膜的電阻溫度系數。

2.如權利要求1所述的多晶硅電阻的制造方法，其特征在于：所述半導體襯底為硅襯底。

3.如權利要求2所述的多晶硅電阻的制造方法，其特征在于：在所述硅襯底中形成有P阱。

4.如權利要求1所述的多晶硅電阻的制造方法，其特征在于：步驟一中采用化學氣相淀積工藝形成所述多晶硅薄膜。

5.如權利要求1所述的多晶硅電阻的制造方法，其特征在于：所述多晶硅薄膜的厚度為1000埃～2000埃。

6.如權利要求1或5所述的多晶硅電阻的制造方法，其特征在于：所述第一次P型離子注入的注入雜質為硼，注入劑量為5E15cm^-2～1E16cm^-2，注入能量為20Kev～50Kev。

7.如權利要求1或5所述的多晶硅電阻的制造方法，其特征在于：所述第二次N型離子注入的注入雜質為磷，注入劑量為1E14cm^-2～3E14cm^-2，注入能量為5Kev～50Kev。

8.如權利要求1或5所述的多晶硅電阻的制造方法，其特征在于：所述多晶硅薄膜中的P型雜質的體濃度和N型雜質的體濃度的和為5E19cm^-3～5E20cm^-3。