[發(fā)明專利]一種鎳硅化物的優(yōu)化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510367108.9
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN104952799B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鮑宇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/28
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,陳慧弘

1.一種鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：提供一形成有NMOS和PMOS的半導(dǎo)體襯底，沉積一SiN層作為金屬硅化物阻擋層，并選擇性地去除需要形成金屬硅化物區(qū)域的SiN；

步驟S02：依次沉積一第一NiPt層和第一TiN層；

步驟S03：進行第一次退火，消耗掉部分厚度的第一NiPt層，在需要形成金屬硅化物的區(qū)域形成第一鎳硅化物；

步驟S04：向第一TiN層和第一NiPt層進行Pt的離子注入，形成第二TiN層和第二NiPt層；

步驟S05：進行第二次退火，在需要形成金屬硅化物的區(qū)域繼續(xù)形成第一鎳硅化物；

步驟S06：去除第二TiN層、沒有反應(yīng)的第二NiPt層以及SiN層，然后，進行第三次退火，在需要形成金屬硅化物的區(qū)域形成第二鎳硅化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，所述第一鎳硅化物為Ni₂Si，所述第二鎳硅化物為NiSi。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，所述第一NiPt層中Pt的含量為0～15％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，通過第一次退火，消耗掉不小于30％的第一NiPt層厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、3或4所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，所述第一NiPt層的厚度為30～300埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，步驟S04中，對半導(dǎo)體襯底上的NMOS和PMOS整體區(qū)域進行Pt的離子注入。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，步驟S04中，對半導(dǎo)體襯底上需要形成金屬硅化物的區(qū)域進行Pt的離子注入。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，所述第一、二次退火溫度分別為200～350℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，所述第一、二次退火溫度相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎳硅化物的優(yōu)化方法，其特征在于，所述第三次退火溫度為350～550℃。