[發明專利]AMOLED顯示器件的制作方法及其結構

在審

• 申請號: 201510366825.X
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN104952791A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，包括：

在制作柵極(3)之前沉積一層無機膜，并對該無機膜進行等離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成柵極防反層(2)的步驟；

以及在制作源/漏極(71)與數據線(72)之前沉積一層無機膜，并對該無機膜進行等離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層(6)的步驟。

2.如權利要求1所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上沉積一層無機膜，并對該無機膜進行等離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成柵極防反層(2)；

步驟2、在所述柵極防反層(2)上沉積第一金屬層，并對該第一金屬層進行圖案化處理，形成柵極(3)；

步驟3、在所述柵極(3)及柵極防反層(2)上沉積柵極絕緣層(4)；

步驟4、在所述柵極絕緣層(4)上沉積半導體膜，并對該半導體膜進行圖案化處理，形成島狀有源層(5)；

步驟5、在所述島狀有源層(5)與柵極絕緣層(4)上沉積一層無機膜，并對該無機膜進行等離子轟擊處理，使其表面粗糙化，形成蝕刻阻擋與源/漏極防反層(6)，再對所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層(6)進行圖案化處理，制得分別暴露出所述島狀有源層(5)兩側的第一過孔(61)與第二過孔(62)；

步驟6、在所述蝕刻阻擋與源/漏極防反層(6)上沉積第二金屬層，并對該第二金屬層進行圖案化處理，形成源/漏極(71)與數據線(72)，所述源/漏極(71)分別通過第一過孔(61)與第二過孔(62)接觸所述島狀有源層(5)；

步驟7、在所述源/漏極(71)、數據線(72)及蝕刻阻擋與源/漏極防反層(6)上沉積鈍化保護膜(8)，并對該鈍化保護膜(8)進行圖案化處理，形成暴露出部分源/漏極(71)的第三過孔(81)；

步驟8、在所述鈍化保護膜(8)上沉積透明電極層，并對該透明電極層進行圖案化處理，形成像素電極層(9)，所述像素電極層(9)通過第三過孔(81)接觸部分源/漏極(71)；

步驟9、在所述像素電極層(9)與鈍化保護膜(8)上沉積像素隔離層(10)，并對該像素隔離層(10)進行圖案化處理，形成暴露出部分像素電極層(9)的開口(101)；

步驟10、采用蒸鍍工藝在所述開口(101)內形成有機發光層(11)；

步驟11、在所述有機發光層(11)與像素隔離層(10)上濺射一層金屬陰極層(12)；

步驟12、使用封裝蓋板(13)進行封裝。

3.如權利要求2所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟1中的無機膜的材料為二氧化硅，厚度為

4.如權利要求2所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟5中的無機膜的材料為氧化硅，厚度為

5.如權利要求2所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟1與步驟5中進行等離子轟擊處理所使用的氣體為氮氣、氧氣、或二氧化氮。

6.如權利要求2所述的AMOLED顯示器件的制作方法，其特征在于，所述步驟2中的第一金屬層的材料為鉻、鉬、鋁、銅中的一種或多種的組合，厚度為

所述步驟3中的柵極絕緣層(4)的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合，厚度為

所述步驟4中半導體膜的材料為鋅氧化物、銦鋅氧化物、鋅錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鋯鋅氧化物中的一種，厚度為

所述步驟6中第二金屬層的材料為鉻、鉬、鋁、銅中的一種或多種的組合，厚度為

所述步驟7中鈍化保護膜(8)的材料為氧化硅、氮化硅或二者的組合，厚度為

所述步驟8中透明電極層的材料為氧化銦錫、或氧化銦鋅，厚度為

所述步驟9中的像素隔離層(10)的材料為氧化硅，厚度為

所述步驟10有機發光層(11)包括空穴注入層、空穴傳輸層、發光材料層、電子傳輸層和電子注入層。