[發明專利]在SiC材料中獲取二維電子氣的方法有效
| 申請號： | 201510366654.0 | 申請日： | 2015-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN105047532B | 公開（公告）日： | 2018-10-02 |
| 發明（設計）人： | 申占偉;張峰;趙萬順;王雷;閆果果;劉興昉;孫國勝;曾一平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 材料 獲取 二維 電子 方法 | ||
1.一種在SiC材料中獲取二維電子氣的方法，包括如下步驟：
步驟1：取一晶面為(0001)的SiC襯底，所述的(0001)的SiC襯底是具有六方纖鋅礦的晶體結構，且是零偏角的晶面；
步驟2：在晶面為(0001)的SiC襯底上制作晶面為(0001)的AlN層。
2.一種在SiC材料中獲取二維電子氣的方法，包括如下步驟：
步驟1：取一晶面為的SiC襯底，所述的(0001)的SiC襯底是具有六方纖鋅礦的晶體結構，且是零偏角的晶面；
步驟2：在晶面為的SiC襯底上制作晶面為(0001)的AlN層。
3.一種在SiC材料中獲取二維電子氣的方法，包括如下步驟：
步驟1：取一晶面為(0001)的SiC襯底，所述的(0001)的SiC襯底是具有六方纖鋅礦的晶體結構，且是零偏角的晶面；
步驟2：在晶面為(0001)的SiC襯底上制作晶面為(0001)的AlN層；
步驟3：在晶面為(0001)的AlN層上制作晶面為(0001)的AlxGa1-xN層，其中晶面為(0001)的AlxGa1-xN層中的Al組份0＜x＜1。
4.一種在SiC材料中獲取二維電子氣的方法，包括如下步驟：
步驟1：取一晶面為(0001)的SiC襯底，所述的(0001)的SiC襯底是具有六方纖鋅礦的晶體結構，且是零偏角的晶面；
步驟2：在晶面為(0001)的SiC襯底上制作晶面為的AlN層；
步驟3：在晶面為的AlN層上制作晶面為的AlxGa1-xN層，其中晶面為(0001)的AlxGa1-xN層中的Al組份x小于0.6。
5.一種在SiC材料中獲取二維電子氣的方法，包括如下步驟：
步驟1：取一晶面為的SiC襯底，所述的(0001)的SiC襯底是具有六方纖鋅礦的晶體結構，且是零偏角的晶面；
步驟2：在晶面為的SiC襯底上制作晶面為(0001)的AlN層；
步驟3：在晶面為(0001)的AlN層上制作晶面為(0001)的AlxGa1-xN層，其中晶面為(0001)的AlxGa1-xN層中的Al組份x大于0.6。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
