[發明專利]一種新型低成本的網絡物理通斷控制電路拓撲有效
| 申請號: | 201510365917.6 | 申請日: | 2015-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN104954143B | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發明(設計)人: | 汪俊杰;郭學楓;張福新;崔太有;丁汨江;羅梓桂;徐鋒 | 申請(專利權)人: | 江蘇龍芯夢蘭信息安全技術有限公司 |
| 主分類號: | H04L12/02 | 分類號: | H04L12/02 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 張俊范 |
| 地址: | 215500 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 低成本 網絡 物理 控制電路 拓撲 | ||
1.一種新型低成本的網絡物理通斷控制電路拓撲,包括網卡芯片、網絡變壓器和RJ45網絡接口,所述網卡芯片與網絡變壓器之間以及網絡變壓器與RJ45網絡接口之間通過網絡信號總線連接,其特征在于:包括推挽電路,所述推挽電路的輸出端與網絡變壓器的中心抽頭連接,所述推挽電路的輸入端與網絡通斷控制信號連接。
2.根據權利要求1所述的新型低成本的網絡物理通斷控制電路拓撲,其特征在于:所述推挽電路包括P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管和N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管,所述P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極連接網絡變壓器的中心抽頭高參考電平,所述N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極接地,所述P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極和N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極連接并與網絡變壓器的中心抽頭連接,所述P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極和N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極連接并連接網口控制信號。
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