[發明專利]一種MEMS器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201510365845.5
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN105036060A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: 王文婧;郭群英;黃斌
• 申請（專利權）人: 華東光電集成器件研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/02
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113
• 代理人: 楊晉弘

1.一種MEMS器件，包括MEMS器件上電極(2)，MEMS器件上電極的底面鍵合隔熱結構層(1)、MEMS器件上電極的上面鍵合MEMS器件下電極(3)，其特征在于：MEMS器件下電極(3)中設有一組帶有絕緣結構的硅柱(3b)，硅柱下端與MEMS器件上電極中的錨點(2b)對應鍵合連接，MEMS器件下電極(3)頂層的埋氧層(3e)中制作與硅柱連接的金屬引線(4)，所述每個硅柱(3b)上端與器件結構下電極(3)中的金屬引線(4)對應連接。

2.一種MEMS器件的制作方法，其特征在于包括以下步驟：

a.隔熱結構層(1)的制作：在雙拋片中部光刻制作淺腔(1a)，雙拋片硅襯底的四個拐角形成鍵合面(1b)，淺腔(1a)的位置對應MEMS器件上電極中的可動部件；

b.MEMS器件下電極(3)的制作：在SOI硅片上制作淺腔(3c)、鍵合面(3a)以及硅柱(3b)，制作刻蝕掩膜層，沿著硅柱(3b)圓柱面進行深環槽(3d)刻蝕直至SOI硅片的埋氧層(3e)，形成硅柱(3b)結構，在深環槽(3d)及硅柱(3b)的表面制作電隔離絕緣層(3f)，最后在深環槽中填充填充物(3h)；

c.MEMS器件上電極(2)的制作：將熱隔離結構層(1)的硅襯底的四個拐角的鍵合面(1b)與采用SOI硅片鍵合，刻蝕該SOI硅片襯底層和埋氧層，釋放可動結構形成可動結構(2c)、錨點(2a)，形成MEMS器件上電極(2)；

d.將MEMS器件上電極(2)與MEMS器件下電極(3)中對應的鍵合面硅硅鍵合，同時MEMS器件下電極(3)中的硅柱與MEMS器件上電極中的錨點也硅硅鍵合，然后去除MEMS器件下電極(3)中頂層硅，光刻打開埋氧層，制作引線孔(4a)，濺射金屬，光刻制作金屬引線(4)，合金。