[發(fā)明專利]一種有效改善鑄造多晶硅錠質(zhì)量的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201510365350.2
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN104894642A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉曉兵;趙福祥;張芳芳;沈健;徐世永;金起弘
• 申請（專利權(quán)）人: 韓華新能源（啟東）有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 南通市永通專利事務(wù)所 32100
• 代理人: 葛雷

1.一種有效改善鑄造多晶硅錠質(zhì)量的方法，其特征是：多晶硅鑄錠過程中，測定不同生長階段多晶硅晶體生長的高度，表征出晶體硅不同高度時(shí)的缺陷群面積大小及形態(tài)；根據(jù)晶體不同生長時(shí)間段缺陷群的變化規(guī)律，找出晶體快速增殖階段，有針對性地調(diào)節(jié)該階段的鑄錠工藝，從而降低缺陷群增殖速度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有效改善鑄造多晶硅錠質(zhì)量的方法，其特征是：將多晶硅錠破錠、切片，根據(jù)測量的高度數(shù)據(jù)和切割參數(shù)，確定每個(gè)多晶硅片所處的高度位置，進(jìn)而確定其生長的時(shí)間段。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有效改善鑄造多晶硅錠質(zhì)量的方法，其特征是：測定晶體生長時(shí)間段硅片的缺陷群，畫出隨著晶體生長，即不同的生長時(shí)間階段，缺陷群變化圖，其中生長時(shí)間段為橫坐標(biāo)，缺陷群數(shù)據(jù)為縱坐標(biāo)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有效改善鑄造多晶硅錠質(zhì)量的方法，其特征是：根據(jù)晶體的不同生長時(shí)間階段，通過調(diào)整鑄錠加熱功率、散熱速率、生長氣氛壓力、生長界面方式，找到適合晶體硅生長的溫度梯度，調(diào)整晶體硅的長晶速率，從而抑制缺陷群的快速增殖。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有效改善鑄造多晶硅錠質(zhì)量的方法，其特征是：在多晶硅錠生長時(shí)，用石英棒測量各個(gè)生長階段的晶體高度，并記錄下各個(gè)生長時(shí)間段的時(shí)間和晶體高度；將多晶硅錠破錠、切片；取片時(shí)，嚴(yán)格按照從頭到尾順序進(jìn)行，確保通過切割參數(shù)能夠計(jì)算出每個(gè)硅片的高度位置；用PL表征硅片的缺陷群；將晶體高度、生長時(shí)間段與缺陷群進(jìn)行對應(yīng)，繪畫出缺陷群隨晶體生長時(shí)間的變化圖，從圖中確定出缺陷群快速增值的晶體生長時(shí)間段，調(diào)整晶體硅快速增殖生長時(shí)間階段的加熱功率、隔熱籠位置、氣氛壓力參數(shù)，實(shí)現(xiàn)晶體的慢速長晶和平直的生長界面，從而抑制該階段的缺陷群快速增殖。