[發明專利]片上毫米波發射機及其校準方法和片上毫米波功率傳感器

有效

• 申請號: 201510364015.0
• 申請日: 2015-04-24
• 公開（公告）號: CN105158743B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: H·克納普;J·武斯特霍恩
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01S7/40
• 分類號: G01S7/40;G01S7/282
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;胡莉莉

1.一種片上毫米波發射機，包括

-可耦合到振蕩器的至少一個發射路徑，所述至少一個發射路徑提供發射功率；

-可耦合到所述振蕩器并且包括片上功率傳感器的校準路徑，所述片上功率傳感器被配置為測量通過所述至少一個發射路徑發射的發射功率的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的片上毫米波發射機，其中所述片上功率傳感器通過定向耦合器或功率分配器耦合到所述校準路徑。

3.根據權利要求2所述的毫米波發射機，其中所述校準路徑由天線元件或片上終端終止。

4.根據權利要求1所述的毫米波發射機，其中所述至少一個發射路徑的個別發射路徑和/或校準路徑包括放大器和/或片上功率估計器。

5.根據權利要求1所述的毫米波發射機，其中所述至少一個發射路徑包括放大器和/或片上功率估計器。

6.根據權利要求1所述的毫米波發射機，其中所述振蕩器是壓控振蕩器。

7.根據權利要求1所述的毫米波發射機，其中所述至少一個發射路徑中的選定的發射路徑包括用于選擇性地將所述至少一個發射路徑的選定的發射路徑耦合到所述片上功率傳感器的開關。

8.根據權利要求1所述的毫米波發射機，其中所述片上功率傳感器被實現為層。

9.根據權利要求8所述的毫米波發射機，其中所述片上功率傳感器被實現為在芯片內的層上形成的電阻器。

10.根據權利要求9所述的毫米波發射機，其中所述層是用于實現芯片內的多個晶體管的至少一個基極接觸層的層。

11.根據權利要求9所述的毫米波發射機，其中所述層是用于連接芯片內的晶體管的基極區的硅化多晶硅層。

12.根據權利要求9所述的毫米波發射機，其中所述電阻是溫度相關電阻器。

13.根據權利要求1所述的毫米波發射機，其中所述振蕩器被布置在芯片上。

14.一種校準片上毫米波發射機的方法，所述方法包括：

-在所述毫米波發射機的至少一個發射路徑內提供發射功率；

-指引所提供的發射功率的至少一部分到校準路徑內的片上功率傳感器；

-在片上功率傳感器處測量所提供的發射功率的所述部分。

15.根據權利要求14所述的方法，進一步包括：

-響應于所測量的部分校準在至少一個發射路徑和/或校準路徑內的功率估計器。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述指引是這樣使得存在其中指引到功率傳感器的所提供的發射功率的所述部分消失的時間周期。

17.一種可耦合到毫米波發射機的至少一個發射路徑的片上功率傳感器，所述片上功率傳感器包括：

-在芯片的層內形成的電阻器，其中所述電阻器的電阻是溫度相關的；

-耦合到所述電阻器的四分之一波長元件；以及

-經由所述四分之一波長元件耦合到所述電阻器并且與所述電阻器并聯的電容器，

其中所述片上功率傳感器被配置為測量通過所述毫米波發射機的至少一個發射路徑發射的發射功率的至少一部分。

18.根據權利要求17所述的片上功率傳感器，其中所述電阻器由在芯片的層內沉積的材料形成。

19.根據權利要求18所述的片上功率傳感器，其中所述層包括在芯片內的多個晶體管的至少一個基極觸點。