[發(fā)明專利]過壓保護(hù)部件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510363846.6
• 申請(qǐng)日: 2015-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN105226053B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·羅維瑞;L·穆安德龍;C·巴龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(圖爾)公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種集成電路，包括：

垂直肖克利二極管，所述垂直肖克利二極管從頂部至底部包括：

－第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)域，

－第二導(dǎo)電類型的襯底，以及

－所述第一導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域具有形成在其中的所述第二導(dǎo)電類型的第三區(qū)域，以及

第一垂直晶體管，所述第一垂直晶體管從頂部至底部包括：

－所述襯底的一部分，該部分由垂直壁與所述垂直肖克利二極管分離，

－所述第二區(qū)域的一部分，

－第四區(qū)域，所述第四區(qū)域與形成在所述第二區(qū)域的一部分中的第三區(qū)域的導(dǎo)電類型相同，

其中所述第四區(qū)域和所述第三區(qū)域是分離的區(qū)域，所述第四區(qū)域和所述第三區(qū)域通過第二區(qū)域的一部分彼此分開，以及其中所述第三區(qū)域連接至所述第四區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，進(jìn)一步包括，與所述第一垂直晶體管結(jié)構(gòu)相同的第二晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述第一垂直晶體管位于包含所述垂直肖克利二極管的芯片的角部中。

4.一種集成電路，包括：

垂直肖克利二極管，所述垂直肖克利二極管從頂部至底部包括：

－第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)域，

－第二導(dǎo)電類型的襯底，以及

－所述第一導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域具有形成在其中的所述第二導(dǎo)電類型的第三區(qū)域，以及

第一垂直晶體管，所述第一垂直晶體管從頂部至底部包括：

－所述襯底的一部分，該部分由垂直壁與所述垂直肖克利二極管分離，

－所述第二區(qū)域的一部分，

－第四區(qū)域，所述第四區(qū)域與形成在所述第二區(qū)域的一部分中的第三區(qū)域的導(dǎo)電類型相同，

其中所述第三區(qū)域連接至所述第四區(qū)域；

開關(guān)，所述開關(guān)與所述垂直肖克利二極管并聯(lián)連接；

電阻器，所述電阻器具有連接至所述第一垂直晶體管的上主端子的第一端子；以及

電壓源，所述電壓源連接至所述電阻器的第二端子，

所述第一垂直晶體管的上主端子連接至所述開關(guān)的控制和檢測的電路。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中，所述開關(guān)被控制為根據(jù)在所述第一垂直晶體管的上主端子與所述第三區(qū)域之間的電壓來導(dǎo)通和關(guān)斷。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，進(jìn)一步包括：

第二晶體管，所述第二晶體管與所述第一垂直晶體管結(jié)構(gòu)相同；以及

第二電阻器，所述第二電阻器具有連接至所述第二晶體管的上主端子的第一端子、以及具有連接至所述電壓源的第二端子，

所述第二晶體管的上主端子連接至所述開關(guān)的控制和檢測的電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路，其中，所述開關(guān)被控制為根據(jù)所述第一垂直晶體管的上主端子與所述第三區(qū)域之間的第一電壓而導(dǎo)通，并且所述開關(guān)被控制為根據(jù)所述第二晶體管的上主端子與所述第三區(qū)域之間的第二電壓而關(guān)斷。