[發明專利]一種基于退火調節的電阻式存儲器及制備方法

在審

• 申請號: 201510363761.8
• 申請日: 2015-06-25
• 公開（公告）號: CN104993048A
• 公開（公告）日: 2015-10-21
• 發明（設計）人: 歐陽騰飛;程抱昌;鄭見平
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種基于退火調節的電阻式存儲器，其特征是包括薄膜基底（1）、單根微納米材料（2）、金屬電極（3）、銅導線（4），單根微納米材料（2）放于薄膜基底（1）上，其兩端焊接金屬電極（3），金屬電極再焊接銅導線（4）；

所述的薄膜基底為聚酰亞胺或聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜材料，所述的單根微納米材料為四棱柱狀的硫化鉛材料，所述的金屬電極是銀電極；

所述的電阻式存儲器為兩端都不退火、一端退火或兩端都退火。

2.權利要求書1所述的一種基于退火調節的電阻式存儲器的制備方法，其特征是所述的兩端都不退火的存儲器件制備方法是在平整的薄膜基底上放置單根微納米材料，然后在單根微納米材料兩端焊上金屬電極，在潔凈的大氣環境中放置3~5小時，最后在兩端金屬電極上分別焊接導線，再在潔凈大氣環境中放置5~10小時。

3.權利要求書1所述的一種基于退火調節的電阻式存儲器的制備方法，其特征是所述的一端退火的存儲器件制備方法是在平整的薄膜基底上放置單根微納米材料，然后在單根微納米材料一端焊上金屬電極，接著放入250~300℃的退火爐中退火20min，取出后在潔凈的大氣環境中放置1小時，再在單根微納米材料的另一端焊上金屬電極，最后在兩端金屬電極上分別焊接導線，在潔凈大氣環境中放置5~10小時。

4.權利要求書1所述的一種基于退火調節的電阻式存儲器的制備方法，其特征是所述的兩端都退火的存儲器件制備方法是在平整的薄膜基底上放置單根微納米材料，然后在單根微納米材料兩端焊上金屬電極，接著放入250~300℃的退火爐中退火20min，取出后在潔凈的大氣環境中放置1小時，最后在兩端金屬電極上分別焊接導線，在潔凈大氣環境中放置5~10小時。