[發明專利]一種介電泳粒子分選微流控芯片

有效

• 申請號: 201510362444.4
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN104923322A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 李姍姍;閆姿姿;李銘浩;張明航;戴士杰;李鐵軍
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210
• 代理人: 李濟群

1.一種介電泳粒子分選微流控芯片，其特征在于所述微流控芯片包括平面電極層、微通道層和控制層；所述控制層位于微通道層之上，所述微通道層位于平面電極層之上；

所述平面電極層包括電極襯底、平面電極和接線區；所述平面電極沉積于電極襯底上；所述接線區一端與平面電極連接，另一端外接電源；

所述微通道層包括微通道和微通孔；所述微通孔包括鍍液入口、鍍液出口、分選溶液進樣口和分選溶液出樣口；所述微通道包括鍍液微通道和分選溶液微通道；所述鍍液微通道上配置有鍍液電磁閥工位，所述分選溶液微通道上配置有分選溶液電磁閥工位；所述鍍液微通道通過常規鍍層技術鍍層形成鍍層區域；所述鍍層區域具有鍍層電極，鍍層電極與通電后的平面電極一起形成閉合的非勻強電場區域；

所述控制層包括控制層襯底、鍍液電磁閥、分選溶液電磁閥和形變控制電磁閥；所述控制層襯底的作用是為鍍液電磁閥、分選溶液電磁閥和形變控制電磁閥的安裝進行定位；所述鍍液電磁閥安裝于鍍液電磁閥工位上；所述分選溶液電磁閥安裝于分選溶液電磁閥工位上；所述形變控制電磁閥置于鍍層電極上，外接調節電源。

2.根據權利要求1所述的介電泳粒子分選微流控芯片，其特征在于所述微通道的深度為10～500um，寬度為20～800um。

3.根據權利要求1所述的介電泳粒子分選微流控芯片，其特征在于所述鍍液電磁閥工位和分選溶液電磁閥工位的直徑均為1～10mm。

4.根據權利要求1所述的介電泳粒子分選微流控芯片，其特征在于所述鍍層電極與平面電極之間的垂直距離為10～500um。