[發明專利]一種大花蕙蘭的栽培方法

有效

• 申請號: 201510362428.5
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN104982314B
• 公開（公告）日: 2018-04-27
• 發明（設計）人: 曾玉冰;何兵;廖開旭
• 申請（專利權）人: 綿陽市仙龍生物技術有限公司
• 主分類號: A01G31/00
• 分類號: A01G31/00
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務所(普通合伙)51217
• 代理人: 薛波

技術領域

本發明屬于植物栽培技術領域，具體涉及一種大花蕙蘭的栽培方法。

背景技術

大花蕙蘭(Cymbidum hybridium)又名喜姆比蘭，為蘭科蘭屬多年生草本植物，大花蕙蘭葉長碧綠，花姿粗獷，豪放壯麗，花期較長(2～3月)，是世界著名的“蘭花新星”。因其是蘭屬人工雜交品種，既具有國蘭的幽香典雅，又有洋蘭的豐富多彩，在國際花卉市場十分暢銷，深受花卉愛好者的傾愛。

但傳統栽培大花蕙蘭的方法，周期長，普遍達3～4年，品質差，易得腐敗病，存活率僅30～40％，開花率也非常低，遠遠不能滿足商品化生產的需求。

發明內容

本發明針對上述不足之處而提供的一種大花蕙蘭的栽培方法，該栽培從溫度、水分、光照、追肥、防病蟲害等方面對大花蕙蘭進行科學管理，為大花蕙蘭提供一個良好的生存環境，使得大花蕙蘭的存活率達到99％以上，栽培周期也縮短至2～3年，節約了成本，滿足了商品化生產的需求。

為實現上述目的，本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種大花蕙蘭的栽培方法，包括以下步驟：

(1)瓶苗：切去大花蕙蘭新芽，在三角瓶中采用組培方法培養，長成瓶苗；

(2)取苗：將三角瓶中的培養基搗碎，將苗取出，然后用14～20℃水清洗，去除葉子和根上的培養基；

(3)栽苗：在筐內平鋪2cm×2cm的大號松樹皮，厚度為4cm，接著在松樹皮上均勻撒16g 180天的摩爾科特緩釋肥，然后放0.2～0.4cm×0.2～0.4cm的松樹皮，最后將苗植入松樹皮中，每筐種植100株，行間距為3.5cm，每行株間距為1.7cm；

苗栽好后控制夜間溫度為15～18℃，白天溫度為25～28℃；栽培基質濕度為80％，空氣濕度為85％；光照強度為1～1.5萬lux，光照時間為8～10h；栽苗20天后開始進行葉面追肥，每隔10天噴一次3000倍的花多多水溶肥料，其中花多多水溶肥料中N、P、K的含量相同，比值為20:20:20；苗栽好后用1000倍多菌靈灌根一次，一周后用2000倍代森錳鋅對葉面進行殺菌，然后每隔2周對葉面噴施一次2000倍百菌清，栽苗3周后對葉面噴施一次1000倍的阿維菌素；

(4)1～2個月后換3寸盆：將苗拔出，抖落根系上的基質，在通風處放置3～4h，然后捏住苗的假鱗莖部位放入鋪有2cm厚松樹皮的3寸盆里，松樹皮使用規格為0.5～1cm×0.5～1cm的中號松樹皮，然后繼續向盆里放松樹皮，直至松樹皮覆蓋根莖結合部0.5～1cm，松樹皮達到盆沿以下2cm，其中3寸盆規格為9cm×9cm；

換盆后控制夜間溫度為15～18℃，白天溫度為25～28℃；栽培基質濕度為75％，空氣濕度為80％，噴水時間為早上7～10點；光照強度為3～4萬lux，光照時間為8～10h；換盆時每盆施3～5g 180天的摩爾科特緩釋肥；換盆時用1000倍多菌靈灌根一次，然后每月用1000倍多菌靈灌根一次，同時每月對葉面進行藥物處理一次，所選藥物為1000倍代森錳鋅和1000倍多菌靈交替進行；

(5)6個月后換4寸盆：將苗外面的3寸軟盆撕掉，將苗置于放有2cm厚松樹皮的4寸盆里，松樹皮使用規格為0.5～1cm×0.5～1cm的中號松樹皮，然后繼續放松樹皮，直至松樹皮蓋住假鱗莖1.3～1.7cm，松樹皮高度在盆沿以下3cm處，其中4寸盆規格為12cm×12cm；

換盆后控制夜間溫度為12～15℃，白天溫度為22～28℃；栽培基質濕度為75％，空氣濕度為80％；光照強度為4～5萬lux，光照時間為8～10h；換盆時每盆施7～10g 180天的摩爾科特緩釋肥，6個月后再施一次180天的摩爾科特緩釋肥，每盆施7～10g；換盆時用1000倍多菌靈灌根一次，然后每月用1000倍多菌靈灌根一次，同時每月對葉面進行藥物處理一次，所選藥物為1000倍代森錳鋅和1000倍多菌靈交替進行；

(6)12個月后換6寸盆：將苗外面的4寸軟盆撕掉，將苗置于放有5cm厚松樹皮的6寸盆里，松樹皮使用規格為1.0～2.0cm×1.0～2.0cm的大號松樹皮，然后繼續放松樹皮，直至松樹皮蓋住假鱗莖1.3～1.7cm，松樹皮高度在盆沿以下4～5cm處，其中6寸盆規格為20cm×21cm；