[發(fā)明專利]8～14μm波段選擇性低發(fā)射率的紅外隱身薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510362417.7 | 申請日： | 2015-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN104991291B | 公開（公告）日： | 2017-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭亮;程海峰;李俊生;鄭文偉;周永江;劉海韜;張朝陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國人民解放軍國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號： | G02B1/10 | 分類號： | G02B1/10;B32B19/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 長沙朕揚(yáng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)43213 | 代理人： | 楊斌 |
| 地址： | 410073 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 14 波段 選擇性 發(fā)射 紅外 隱身 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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