[發明專利]半導體器件的蜂窩布局

在審

• 申請號: 201510352212.0
• 申請日: 2015-06-24
• 公開（公告）號: CN105206673A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: A.V.博羅特尼科夫;P.A.羅西
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L29/10;H01L29/08
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;姜甜

1.一種系統，包括：

半導體器件單元，設置在碳化硅(SiC)半導體層的表面，其中所述半導體器件單元包括：

　　漂移區，具有第一導電類型；

　　阱區，具有第二導電類型，設置成與所述漂移區相鄰；

　　源區，具有所述第一導電類型，設置成與所述阱區相鄰；

　　溝道區，具有所述第二導電類型，設置成與所述源區相鄰并且接近所述表面；

　　體接觸件區，具有所述第二導電類型，設置在所述阱區的一部分之上，其中所述體接觸件區基本上設置在所述半導體器件單元的中心；以及

　　分段源和體接觸件(SSBC)，設置在所述表面的一部分之上，其中所述SSBC包括：

　　　　體接觸件部分，設置在所述體接觸件區之上基本上在所述半導體器件單元的中心；以及

　　　　至少一個源接觸件部分，設置成與所述體接觸件區相鄰并且在所述源區的一部分之上，其中所述至少一個源接觸件部分沒有由所述SSBC的所述體接觸件部分完全包圍。

2.如權利要求1所述的系統，其中，所述SSBC具有與所述表面垂直的對稱的至少兩個不同鏡平面。

3.如權利要求1所述的系統，其中，所述體接觸件區的一部分沒有設置在所述SSBC之下，并且所述體接觸件區的所述部分具有大于或等于所述SSBC的寬度的大約10%但小于或等于大約50%的寬度。

4.如權利要求1所述的系統，其中，所述半導體器件單元的一個或多個組件因制造缺陷而至少部分未對齊或者變形。

5.如權利要求1所述的系統，其中，所述SSBC包括設置在所述體接觸件部分的相對側上的至少兩個源接觸件部分。

6.如權利要求5所述的系統，其中，所述至少兩個源接觸件部分沒有通過所述體接觸件部分完全相互隔離。

7.如權利要求1所述的系統，其中，所述SSBC具有延長的矩形形狀。

8.如權利要求1所述的系統，其中，所述溝道區具有延長的六邊形形狀。

9.如權利要求1所述的系統，其中，所述半導體器件單元包括場效應晶體管(FET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、絕緣基MOS控制晶閘管(IBMCT)、結型場效應晶體管(JFET)或者金屬半導體場效應晶體管(MESFET)。

10.一種系統，包括：

蜂窩半導體器件布局，包括設置在碳化硅(SiC)半導體層的表面的多個半導體器件單元，其中所述多個蜂窩半導體器件單元各包括：

　　漂移區，具有第一導電類型；

　　阱區，具有第二導電類型，設置成與所述漂移區相鄰，其中所述阱區包括設置成接近所述表面的體接觸件區；

　　源區，具有所述第一導電類型，設置成與所述阱區相鄰，其中所述源區包括設置成接近所述表面并且接近所述體接觸件區的源接觸件區；以及

　　對稱分段源和體接觸件(SSBC)，設置在所述表面的一部分之上，其中所述對稱SSBC包括：

　　　　體接觸件部分，設置在所述半導體器件單元的所述體接觸件區之上；以及

　　　　至少一個源接觸件部分，設置成與所述體接觸件部分相鄰并且在所述半導體器件單元的所述源接觸件區之上，其中所述至少一個源接觸件部分沒有完全包括所述體接觸件部分。