[發明專利]超級結布局結構

有效

• 申請號: 201510350031.4
• 申請日: 2015-06-18
• 公開（公告）號: CN104916700B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 馬榮耀;可瑞思;姜元祺
• 申請（專利權）人: 中航（重慶）微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種超級結布局結構，其特征在于，其中：

第一導電類型的半導體層包括有源區和圍繞在有源區外側的終端區；

在終端區的拐角區域中布置有第二導電類型的柱狀立柱陣列；

在終端區的與其拐角區域相銜接的第一、第二周邊區域和在有源區中均布置有第二導電類型的條狀立柱；

第一周邊區域和有源區的多個條狀立柱并排設置并沿第一方向延伸，有源區的條狀立柱朝終端區的第二周邊區域延伸至它們各自的一個末端停留在第二周邊區域中；

使拐角區域中第一導電類型摻雜物的電荷與第二導電類型摻雜物的電荷相互平衡；

在第一周邊區域的多個條狀立柱中，按照越靠近有源區條狀立柱的長度越長的變化規律，使第一周邊區域的多個條狀立柱的長度由外至內依次逐步遞增；以及

有源區中鄰近拐角區域的一系列條狀立柱，按照由有源區靠近第一周邊區域的邊緣至有源區中心的次序依次逐步遞增，使拐角區域為三角形。

2.根據權利要求1所述的超級結布局結構，其特征在于，第一周邊區域中每一個條狀立柱的延長線上對應設置有柱狀立柱陣列中的一行柱狀立柱。

3.根據權利要求1所述的超級結布局結構，其特征在于，拐角區域中任意相鄰的兩行柱狀立柱與任意相鄰的兩列柱狀立柱定義出兩組立柱，該兩組立柱中同一行的柱狀立柱同時位于一條與第一方向同向的線上，兩組立柱中同一列的柱狀立柱同時位于一條與第一方向相垂直的線上。

4.根據權利要求1所述的超級結布局結構，其特征在于，在拐角區域的柱狀立柱陣列中設置有第一類、第二類柱狀立柱，第一類柱狀立柱子陣列具有的行和第二類柱狀立柱子陣列具有的行交替間隔配置且在與第一方向相垂直的第二方向上彼此錯開；

使任意一行第一類柱狀立柱和相鄰的另一行第一類柱狀立柱之間設置有一行第二類柱狀立柱，和使第一類柱狀立柱子陣列中任意一列柱狀立柱均與第二類柱狀立柱子陣列中任意一列柱狀立柱在第二方向上不重合。

5.根據權利要求1所述的超級結布局結構，其特征在于，將第一周邊區域中的條狀立柱、有源區中鄰近拐角區域的一系列條狀立柱各自鄰近拐角區域的末端均設置在與第一方向的夾角成銳角的同一直線上；

在柱狀立柱陣列中按照從起始于三角形中一個直角邊位置處的首行柱狀立柱到終止于直角三角形中斜邊與另一直角邊夾角位置處的末行柱狀立柱的次序，使后一行柱狀立柱的數量較之相鄰的前一行柱狀立柱的數量依次遞減。

6.根據權利要求1所述的超級結布局結構，其特征在于，拐角區域中柱狀立柱之間的單元間距小于或等于有源區中條狀立柱之間的單元間距；以及

柱狀立柱陣列邊緣處靠近第一、第二周邊區域或靠近有源區的任意一個柱狀立柱和第一、第二周邊區域或有源區中最接近于該任意一個柱狀立柱的條狀立柱之間的最短距離不超過有源區中條狀立柱之間的單元間距。

7.根據權利要求1所述的超級結布局結構，其特征在于，半導體層中包括每單位體積上摻雜密度為ρ、摻雜深度為T的第一導電類型摻雜物，半導體層之中的柱形立柱、條狀立柱中包括植入劑量為Q、摻雜深度為T的第二導電類型摻雜物；

拐角區域總面積為STOT并設計柱形立柱的整體面積為SSUB，保持SSUB比STOT是一個等于(T×ρ)÷Q的常數。