[發明專利]一種芯區優化的多模光纖有效
| 申請號: | 201510348556.4 | 申請日: | 2015-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN104865636B | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發明(設計)人: | 張心賁;徐進;李德武;雷高清;鄭偉 | 申請(專利權)人: | 長飛光纖光纜股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/028 | 分類號: | G02B6/028;G02B6/036 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙)42222 | 代理人: | 嚴彥 |
| 地址: | 430073 湖北省*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 優化 光纖 | ||
技術領域
本發明涉及光通信技術領域中的一種多模光纖,尤其涉及一種傳輸系統中要求寬帶寬的多模光纖。
背景技術
多模光纖(MMF)在大數據量的短距離通信中如數據中心和中心機房有著廣泛的應用。目前,多模光纖纖芯的折射率剖面一般采用纖芯的“α”型的折射率分布來減小模式間的延時差,提高帶寬。這種分布通常可以用徑向距離的函數表示:
其中參數α一般在1.9~2.2之間,r0為光纖纖芯區域到光纖中心徑向距離的最大值,r為光纖中某點到光纖中心的徑向距離,nco為纖芯折射率最大值,一般在光纖的中心,Δ為相對折射率。
其中ncl為纖芯最小折射率,通常出現在纖芯和包層交界點處。
針對上述剖面的優化一般局限在參數α上,如文獻J.W.Fleming,“Dispersion in GeO2-SiO2glasses,”Applied Optics,Vol.23,No.24,15 Dec 1984中,根據GeO2-SiO2混合體的色散表達式推導出α的優化值在850nm處約為2.04。但至少這一修正沒有考慮包層對外圍光模式的影響。
專利US 2010/0154478及相關系列專利,從制造的角度提出纖芯剖面的靠近中心部分遵循“α”分布,但遠離纖芯的部分有微小的折射率偏離,但其提出的改進劣化了差模延時(DMD)和有效模式帶寬(EMB)。
專利US 8391661B2及相關系列專利,提出了一種α隨徑向距離變化的折射率剖面,典型的是將折射率分為兩段,但其針對的是較大Δ(如1.9%)MMF,對常規Δ(如0.10%)MMF的改進十分有限。
此外,抗彎多模光纖的概念需要光纖具有優良的彎曲不敏感性,目前廣泛地借用抗彎單模光纖中采用的靠近纖芯的折射率凹陷(Trench)來實現。包層中凹陷的兩個負面影響是:1)降低泄漏模的損耗,從而影響纖芯大小和數值孔徑的測量;2)對導模形成微擾,影響帶寬。較淺的凹陷折射率深度可以減少泄漏模的數量,離纖芯較近可以削弱泄漏模在在纖芯和凹陷之間的存在,這都可以改善凹陷對纖芯大小和數值孔徑測量的影響。專利CN 102736169A及相關專利中對凹陷的位置和折射率深度進行了深入的研究。而凹陷較淺時會降低光纖的彎曲性能,因此需要將凹陷設計的離纖芯比較近。目前技術人員對抗彎多模的凹陷有了大量研究,而對影響光纖帶寬的源頭——纖芯的折射率剖面,沒有做更細致的研究。
發明內容
本發明的目的是針對上述技術問題,提供了一種對多模光纖常規“α”折射率分布的修正方法以增加其帶寬。
本發明的技術方案提供一種芯區優化的多模光纖,包括纖芯和包層,纖芯被包層所圍繞,設光纖纖芯半徑為r0,在光纖纖芯半徑r0的范圍內,纖芯中某點的折射率剖面n(r)用關于該點到光纖纖芯中心的距離r的函數表示如下,
其中,α為預設的參數,Δ為相對折射率,nco為所述纖芯最大折射率,ncl為所述纖芯最小折射率;f(.)為關于距離r的修正函數,所述修正函數f(.)包括一個或多個關于距離r的冪函數。
而且,所述修正函數f(.)包括兩個關于距離r的冪函數,相應折射率剖面n(r)表示如下,
其中,[k1,m1]和[k2,m2]分別為兩個冪函數的系數,0≤m1/α<3,3≤m2/α<6,-2<k1/(2Δ)m1/α<10,-100<k2/(2Δ)m2/α<50。
而且,系數k1、k2滿足以下條件,
[160(α-τ)+0.4]Δ2<k1<[220(α-τ)+0.4]Δ2
-60Δk1-40Δ3<k2<-40Δk1+120Δ3
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