[發(fā)明專利]創(chuàng)建對(duì)稱FIB沉積的方法和系統(tǒng)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510347983.0
• 申請(qǐng)日: 2015-06-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105200394A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S.E.富勒;O.西多羅夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: FEI公司
• 主分類號(hào): C23C16/448
• 分類號(hào): C23C16/448
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進(jìn);張懿

1.一種使用聚焦離子射束形成具有均勻沉積的TEM樣本薄片的方法，包括：

以大于偏離表面法向30度的角度將聚焦離子射束引導(dǎo)朝向工件表面，帶電粒子具有10keV或更小的著陸能量；

在所述帶電粒子射束的撞擊點(diǎn)處提供碳前驅(qū)氣體，在存在所述離子射束時(shí)，所述碳前驅(qū)氣體分解以將碳沉積到所述工件上；以及

將聚焦離子射束引導(dǎo)朝向所述工件上的沉積的材料以將材料從感興趣的區(qū)域的兩側(cè)移除，從而保留包含感興趣區(qū)域的薄的薄片，所述沉積的碳在形成期間保護(hù)所述薄的薄片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中將聚焦離子射束引導(dǎo)朝向工件表面包括在沿著射束到工件上的法向投影的方向上掃描所述聚焦離子射束。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中在所述帶電粒子射束的撞擊點(diǎn)處提供前驅(qū)氣體包括提供金屬有機(jī)化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中將聚焦離子射束引導(dǎo)朝向工件表面包括以大于偏離表面法向40度的入射角將聚焦離子射束引導(dǎo)朝向工件表面，所述射束中的離子具有8keV或更小的著陸能量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中將聚焦離子射束引導(dǎo)朝向工件表面包括以偏離表面法向45度+/-5度的入射角將聚焦離子射束引導(dǎo)朝向工件表面，所述射束中的離子具有3keV和7keV之間的著陸能量。

6.一種離子射束誘導(dǎo)沉積的方法，包括：

以大于偏離表面法向30度的角度將離子射束引導(dǎo)朝向工件表面，所述射束中的離子具有10keV或更小的著陸能量；以及

在所述離子射束的撞擊點(diǎn)處提供前驅(qū)氣體，在存在所述離子射束時(shí)，所述前驅(qū)氣體分解以將材料沉積到所述工件上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中將離子射束引導(dǎo)朝向工件表面包括主要在沿著離子射束到工件上的法向投影的方向上掃描所述離子射束。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的方法，其中在所述離子射束的撞擊點(diǎn)處提供前驅(qū)氣體包括提供不包含金屬并在存在所述離子射束時(shí)將碳沉積到所述工件表面上的前驅(qū)氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7的方法，其中在所述離子射束的撞擊點(diǎn)處提供前驅(qū)氣體包括提供金屬有機(jī)化合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7的方法，其中將離子射束引導(dǎo)朝向工件表面包括以大于偏離表面法向40度的入射角將離子引導(dǎo)朝向工件表面，所述離子具有8keV或更小的著陸能量。

11.根據(jù)權(quán)利要求6或7的方法，其中將離子射束引導(dǎo)朝向工件表面包括以偏離表面法向45度+/-5度的入射角將離子射束引導(dǎo)朝向工件表面，所述離子具有3keV和7keV之間的著陸能量。

12.根據(jù)權(quán)利要求6或7的方法，其中將離子射束引導(dǎo)朝向工件表面包括將聚焦的離子射束引導(dǎo)至所述工件表面的上面或下面。

13.一種用于處理工件的帶電粒子射束系統(tǒng)，包括：

取向?yàn)槠x垂直方向至少30度的離子射束鏡筒；

取向?yàn)槠x垂直方向至少30度的電子射束鏡筒；

氣體注入系統(tǒng)，其用于引導(dǎo)前驅(qū)氣體被所述離子射束或電子射束分解；

樣本載臺(tái)，所述樣本載臺(tái)能夠在至少兩個(gè)維度上移動(dòng)并能夠圍繞垂直軸旋轉(zhuǎn)，但是不能傾斜；

控制器，其用于根據(jù)所存儲(chǔ)的指令控制所述帶電粒子射束系統(tǒng)的操作；以及

存儲(chǔ)器，其用于存儲(chǔ)用于執(zhí)行權(quán)利要求1的方法的計(jì)算機(jī)指令。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的設(shè)備，其中所述離子射束鏡筒取向?yàn)槠x垂直方向至少45度加或減10%。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14的設(shè)備，其中離子射束鏡筒包括液體金屬離子源。

16.根據(jù)權(quán)利要求13或14的設(shè)備，其中離子射束鏡筒包括等離子體離子源。