[發明專利]具有不同局部跨導的半導體開關器件

有效

• 申請號: 201510347674.3
• 申請日: 2015-06-19
• 公開（公告）號: CN105206671B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: C·法赫曼;E·維西諾瓦斯奎茲;A·威爾梅洛斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，包括：

外緣，

多個可開關控制單元，限定出有源面積區域，以及

邊緣端接區域，布置在所述外緣與限定出所述有源面積區域的所述可開關控制單元之間，

其中每個所述可開關控制單元都包括：本體區域、柵極電極結構和源極區域；

源極金屬化結構，與所述可開關控制單元的所述源極區域歐姆接觸；

柵極金屬化結構，與所述可開關控制單元的所述柵極電極結構歐姆接觸，

其中由所述可開關控制單元限定出的所述有源面積區域至少包括具有相應溝道區域的第一可開關控制區域，其中每個相應溝道區域都具有第一溝道寬度；并且至少包括具有相應溝道區域的第二可開關控制區域，其中每個相應溝道區域具有與所述第一溝道寬度不同的第二溝道寬度，

其中所述第二可開關控制區域布置在所述柵極金屬化結構與所述第一可開關控制區域之間，其中所述第二可開關控制區域的所述溝道區域的所述第二溝道寬度小于所述第一可開關控制區域的所述溝道區域的所述第一溝道寬度，并且

其中所述第二可開關控制區域的面積區域與所述第一可開關控制區域和所述第二可開關控制區域的總面積區域之比率在從5％至50％的范圍內。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中每個所述可開關控制單元具有給定的溝道寬度，并且

其中第一組可開關控制單元限定出所述第一可開關控制區域，而與所述第一組可開關控制單元不同的第二組可開關控制單元限定出所述第二可開關控制區域。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中從所述有源面積區域的接近所述柵極金屬化結構的子面積區域到所述有源面積區域的更遠離所述柵極金屬化結構的中央，所述第一可開關控制區域的所述溝道區域的所述第一溝道寬度和所述第二可開關控制區域的所述溝道區域的所述第二溝道寬度階梯式地改變。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中由所述可開關控制單元限定出的所述有源面積區域進一步至少包括具有相應溝道區域的第三可開關控制區域，所述相應溝道區域具有與所述第一溝道寬度和所述第二溝道寬度不同的第三溝道寬度。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二可開關控制區域形成所述有源面積區域的外環區域，而所述第一可開關控制區域形成所述有源面積區域的中央區域，并且

其中所述外環區域提供在所述有源面積區域的所述中央區域與所述邊緣端接區域之間邊界。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，

其中與所述中央區域的所述可開關控制單元的所述第一溝道寬度相比，所述外環區域的所述第二可開關控制單元具有更小的溝道寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中由所述可開關控制單元限定出的所述有源面積區域至少包括所述第一可開關控制區域，并且至少包括所述第二可開關控制區域，并且至少包括具有相應溝道區域的第三可開關控制區域，其中每個相應溝道區域都具有與所述第一溝道寬度和所述第二溝道寬度不同的第三溝道寬度，

其中所述第三可開關控制區域布置在所述柵極金屬化結構和所述第二可開關控制區域之間，

其中所述第三可開關控制區域的所述溝道區域的所述第三溝道寬度小于所述第二可開關控制區域的所述第二溝道區域，并且

其中所述第二可開關控制區域和所述第三可開關控制區域的總面積區域與所述第一可開關控制區域、所述第二可開關控制區域和所述第三可開關控制區域的總面積區域之比率在從5％至50％的范圍內。