[發明專利]一種陶瓷基覆銅板的制造方法

在審

• 申請號: 201510346890.6
• 申請日: 2015-06-23
• 公開（公告）號: CN105152689A
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發明（設計）人: 祝土富;但敏;金凡亞;沈麗如;童洪輝;謝新林;高明智;楊念群
• 申請（專利權）人: 核工業西南物理研究院;武漢光谷創元電子有限公司
• 主分類號: C04B41/90
• 分類號: C04B41/90
• 代理公司: 核工業專利中心 11007
• 代理人: 高尚梅

1.一種陶瓷基覆銅板的制造方法，其特征在于包括以下工序：

(1)陶瓷基板清洗；

(2)陶瓷基板的離子束清洗活化；

(3)陶瓷基板的金屬離子注入；

(4)陶瓷基板的真空鍍膜；

(5)電鍍增厚銅膜。

2.根據權利要求1所述的陶瓷基覆銅板的制造方法，其特征在于工序(2)中所述的離子束清洗活化為采用氣體離子源對陶瓷基板表面進行離子束清洗活化，工作氣體可為Ar、N₂、O₂、其它惰性氣體或它們的混合氣，真空度為0.01～10Pa，清洗活化的工藝溫度為常溫～400℃。

3.根據權利要求1所述的陶瓷基覆銅板的制造方法，其特征在于工序(3)中所述的金屬離子注入可為元素周期表中的Ag、Au、Al、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mo、Mn、Nb、Ni、Pt、Ta、W、Zr等金屬離子中的一種或幾種，注入時真空度優于0.1Pa，加速電壓5～100kV,注入劑量1.0×10¹²～1.0×10¹⁸ion/cm²，工藝溫度為常溫～400℃。

4.根據權利要求1所述的陶瓷基覆銅板的制造方法，其特征在于工序(4)中所述的真空鍍膜為真空陰極弧沉積方式。采用與金屬離子注入的同種材料或其它材料進行金屬膜層沉積，膜層可以是元素周期表中的Ag、Au、Al、Be、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mo、Mn、Nb、Ni、Pt、Ta、W、Zr等金屬及它們的二元、三元和四元合金。

膜層體系根據產品的要求，可采用兩種膜系：①金屬沉積層/銅沉積層；②金屬氧化物沉積層/金屬沉積層/銅沉積層，金屬沉積層厚度為5～2000nm；金屬氧化物沉積層厚度為5～2000nm；銅沉積層厚度為5～2000nm，真空鍍膜的工藝溫度為常溫～400℃。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的陶瓷基覆銅板，其中，所述的陶瓷基板材料為氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氧化鈹陶瓷、氮化硅陶瓷、碳化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、二氧化鈦陶瓷、氧化鋯陶瓷、鈦酸鈣陶瓷、鈦酸鋇陶瓷、莫來石陶瓷、滑石瓷或玻璃陶瓷。