[發(fā)明專利]一種太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510345780.8
• 申請日: 2015-06-19
• 公開（公告）號: CN105070782A
• 公開（公告）日: 2015-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王偉兵;趙東
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江寶利特新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 杭州浙科專利事務(wù)所(普通合伙) 33213
• 代理人: 吳秉中

1.一種太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝，其特征在于，所述低壓擴(kuò)散工藝包括以下步驟：

a、抽真空：將硅片放置到擴(kuò)散爐的反應(yīng)腔室，關(guān)閉擴(kuò)散爐的爐門，使用真空泵將擴(kuò)散爐的反應(yīng)腔室抽成50mbar～150mbar的真空狀態(tài)；

b、充氣體:將少量氮?dú)馀c三氯氧磷沖入擴(kuò)散爐的反應(yīng)腔室內(nèi)；

c、低壓擴(kuò)散：保持反應(yīng)腔室內(nèi)壓力不變，低壓擴(kuò)散時間為700S～900S；

d、檢測：檢測低壓擴(kuò)散結(jié)果，使硅片表面方塊電阻80Ω～120Ω／口、均勻性要求±3%以內(nèi)，對不合格產(chǎn)品進(jìn)行回收。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝，其特征在于，在步驟c中，反應(yīng)腔室內(nèi)調(diào)節(jié)溫度范圍為830℃～860℃，擴(kuò)散時間為750S～850S、氣流量為900sccm～1300sccm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝，其特征在于，所述擴(kuò)散爐為管式爐，所述反應(yīng)腔室為管腔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝，其特征在于，所述硅片為P型硅片或N型硅片。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝，其特征在于，在步驟a中，將反應(yīng)腔室的管尾部的尾氣抽風(fēng)量減小至最大抽風(fēng)量的1/3。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種太陽能電池硅片生產(chǎn)過程中的低壓擴(kuò)散工藝，其特征在于，在步驟a中，檢查擴(kuò)散爐爐門的密封性。