[發明專利]開關耦合振蕩器的裝置和方法有效
| 申請號: | 201510345381.1 | 申請日: | 2015-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN105281668B | 公開(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發明(設計)人: | B·P·沃克爾;R·J·布勞格頓;E·J·鮑爾波尼 | 申請(專利權)人: | 美國亞德諾半導體公司 |
| 主分類號: | H03B5/18 | 分類號: | H03B5/18 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 金曉 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關 耦合 振蕩器 裝置 方法 | ||
1.一種電子裝置,包括:
主振蕩器;
包括第一輔助振蕩器的一個或多個輔助振蕩器;
包括第一開關電路的一個或多個開關電路,其中所述第一開關電路包括第一狀態和第二狀態,其中所述第一開關電路被配置以在第一狀態中耦合主振蕩器和第一輔助振蕩器,且其中所述第一開關電路被配置以在第二狀態中解耦所述主振蕩器和第一輔助振蕩器;和
振蕩器控制電路,具有第一輸出,被配置以提供第一開關控制信號,其中在所述第一或第二狀態中的第一開關電路的運行至少部分由所述第一開關控制信號控制。
2.如權利要求1所述的電子裝置,其中當所述第一開關電路在所述第二狀態中運行時,所述振蕩器控制電路還被配置以禁用所述第一輔助振蕩器以減少功耗。
3.如權利要求1所述的電子裝置,其中所述一個或多個輔助振蕩器包括多個輔助振蕩器,所述多個輔助振蕩器可通過振蕩器控制電路與主振蕩器單獨耦合或解耦,以提供可配置的相位噪聲與功耗概況。
4.如權利要求1所述的電子裝置,
其中所述一個或多個輔助振蕩器還包括第二輔助振蕩器,
其中所述一個或多個開關電路還包括被電氣地連接到所述第二輔助振蕩器的第二開關電路,其中所述第二開關電路包括第一狀態和第二狀態,和
其中所述振蕩器控制電路還具有第二輸出,被配置以提供第二開關控制信號,其中在所述第一狀態或第二狀態中的第二開關電路的運行至少部分由所述第二開關控制信號控制。
5.如權利要求4所述的電子裝置,其中所述第一開關電路在所述主振蕩器和所述第一輔助振蕩器之間被電氣地連接,且其中所述第二開關電路在所述主振蕩器和所述第二輔助振蕩器之間被電氣地連接。
6.如權利要求4所述的電子裝置,其中所述第一開關電路在所述主振蕩器和所述第一輔助振蕩器之間被電氣地連接,且其中所述第二開關電路在所述第一輔助振蕩器和所述第二輔助振蕩器之間被電氣地連接。
7.如權利要求6所述的電子裝置,
其中所述一個或多個輔助振蕩器還包括第三輔助振蕩器,
其中所述一個或多個開關電路還包括被電氣地連接到所述第三輔助振蕩器的第三開關電路,其中所述第三開關電路包括第一狀態和第二狀態,和
其中所述振蕩器控制電路還有第三輸出,被配置以提供第三開關控制信號,其中在所述第一狀態或第二狀態中的第三開關電路的運行至少部分由所述第三開關控制信號控制,
其中所述第三開關電路在所述主振蕩器和所述第三輔助振蕩器之間被電氣地連接。
8.如權利要求1所述的電子裝置,其中所述第一開關電路包括:
具有源極、漏極和柵極的第一場效應晶體管(FET),其中所述源極被電氣地連接到所述主振蕩器的第一節點,其中所述漏極被電氣地連接到所述第一輔助振蕩器的第一節點,且其中所述柵極被電氣地連接到所述振蕩器控制電路的第一輸出。
9.如權利要求8所述的電子裝置,其中所述第一開關電路還包括:
具有源極、漏極和柵極的第二FET,其中所述第二FET的源極被電氣地連接到所述主振蕩器的第二節點,其中所述第二FET的漏極被電氣地連接到所述第一輔助振蕩器的第二節點,且其中所述柵極被電氣地連接到所述振蕩器控制電路的第一輸出。
10.如權利要求9所述的電子裝置,其中所述第一開關電路還包括:
在所述主振蕩器的第一節點和所述第一FET的源極之間被電氣地連接的第一耦合電容器;
在所述第一輔助振蕩器的第一節點和所述第一FET的漏極之間被電氣地連接的第二耦合電容器;
在所述主振蕩器的第二節點和所述第二FET的源極之間被電氣地連接的第三耦合電容器;和
在所述第一輔助振蕩器的第二節點和第二FET的漏極之間被電氣地連接的第四耦合電容器。
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