[發明專利]有機發光二極管顯示裝置

有效

• 申請號: 201510344910.6
• 申請日: 2015-06-19
• 公開（公告）號: CN105225633B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 金廷炫;方炯軫
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225;G09G3/325
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種有機發光二極管顯示裝置，包括：

有源矩陣有機發光二極管陣列，所述有源矩陣有機發光二極管陣列包括以行和列結構布置的多個像素，每個像素包括有機發光二極管、被連接成驅動流過所述有機發光二極管的電流的驅動晶體管、存儲電容器、以及開關晶體管，所述開關晶體管被連接成與所述像素的數據電壓對應地控制所述存儲電容器上的電荷；其中每個驅動晶體管包括：

形成在基板上的驅動晶體管有源層，所述驅動晶體管有源層由低溫多晶硅材料形成；

驅動晶體管源極和驅動晶體管漏極，所述驅動晶體管源極和驅動晶體管漏極均形成在所述驅動晶體管有源層中；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層形成在所述驅動晶體管有源層上；

驅動晶體管柵極，所述驅動晶體管柵極形成在所述柵極絕緣層上且

在所述驅動晶體管有源層之上；

絕緣層，所述絕緣層形成在所述驅動晶體管柵極之上；

其中每個開關晶體管包括：

開關晶體管柵極，所述開關晶體管柵極形成在所述柵極絕緣層上，

所述開關晶體管柵極至少部分被所述絕緣層覆蓋；

開關晶體管有源層，所述開關晶體管有源層形成在所述絕緣層上且

在所述開關晶體管柵極之上，所述開關晶體管有源層由氧化物半導體材料形成；和

開關晶體管源極和開關晶體管漏極，所述開關晶體管源極和所述開關晶體管漏極均位于所述開關晶體管柵極的相對兩側上且與所述開關晶體管有源層接觸，

其中每個有機發光二極管包括與所述驅動晶體管源極電連接的陽極，且其中所述驅動晶體管柵極與所述開關晶體管源極電連接；和

時序控制器，所述時序控制器將每個像素的所述開關晶體管控制為以包括1-10赫茲范圍內的至少一個頻率的幀速率更新每個像素的所述存儲電容器上存儲的所述電荷。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述氧化物半導體材料是選自由氧化鋅ZnO和氧化銦鎵鋅GIZO構成的組中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述驅動晶體管柵極和所述開關晶體管柵極均是使用同一金屬層形成的。

4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述驅動晶體管進一步包括：

形成在所述驅動晶體管柵極上的第一層間電介質；

形成在所述第一層間電介質上的第二層間電介質；和

形成在所述第二層間電介質上的第三層間電介質，

其中所述絕緣層是所述第三層間電介質。

5.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述驅動晶體管進一步包括：

形成在所述驅動晶體管柵極上的第一層間電介質；和

形成在所述第一層間電介質上的第二層間電介質，

其中所述絕緣層是所述第二層間電介質。

6.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述絕緣層與所述開關晶體管柵極和所述開關晶體管有源層物理接觸。

7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中每個像素的所述存儲電容器進一步包括：

由所述驅動晶體管有源層的一部分形成的第一層；和

由第一金屬層的一部分形成的第二層，所述第一金屬層還包括所述驅動晶體管柵極和所述開關晶體管柵極。

8.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述第一層和所述第二層通過所述柵極絕緣層的一部分分隔開，其中位于所述第一層與所述第二層之間的所述柵極絕緣層的所述一部分由具有高介電常數的物質形成。

9.根據權利要求7所述的有機發光二極管顯示裝置，其中每個像素進一步包括第二存儲電容器，所述第二存儲電容器包括：

所述第二層；和

由第二金屬層的一部分形成的第三層，所述第二金屬層還包括所述驅動晶體管源極和驅動晶體管漏極。

10.根據權利要求9所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述第二層和所述第三層通過形成在所述第二層與所述第三層之間的第一層間電介質分隔開。