[發明專利]等電位網絡三結砷化鎵太陽能電池陣結構及制造方法

在審

• 申請號: 201510341778.3
• 申請日: 2015-06-18
• 公開（公告）號: CN104966742A
• 公開（公告）日: 2015-10-07
• 發明（設計）人: 趙穎;劉娜;劉松喆
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十八研究所
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101
• 代理人: 李鳳

1.一種等電位網絡三結砷化鎵太陽能電池陣結構，包括N個三結砷化鎵太陽能電池組件，其中：N為大于2的自然數；其特征在于：

每個三結砷化鎵太陽能電池的效率大于28％；在每個三結砷化鎵太陽能電池上粘貼有抗輻照玻璃蓋片；所述抗輻照玻璃蓋片的厚度范圍是0.12mm～0.3mm；在每個抗輻照玻璃蓋片上蒸鍍有MgF₂減反射膜，在所述MgF₂減反射膜上蒸鍍有ITO透明導電膜；所述ITO透明導電膜的厚度不大于15nm；在所述ITO透明導電膜上蒸鍍有一對ITO膜金屬電極；每對ITO膜金屬電極之間的電阻值不大于10kΩ；

每個三結砷化鎵太陽能電池組件由M個三結砷化鎵太陽能電池組成，其中，M為大于2的自然數；上述M個三結砷化鎵太陽能電池的ITO膜金屬電極之間通過ITO互連片依次串聯；N個三結砷化鎵太陽能電池組件之間通過ITO匯流條和導線相互并聯之后，再通過鉸鏈與衛星結構地連接。

2.根據權利要求1所述的等電位網絡三結砷化鎵太陽能電池陣結構，其特征在于：所述ITO透明導電膜為銦氧化物和錫氧化物的混合物。

3.根據權利要求2所述的等電位網絡三結砷化鎵太陽能電池陣結構，其特征在于：所述銦氧化物為In₂O₃；所述錫氧化物為SnO₂。

4.根據權利要求2所述的等電位網絡三結砷化鎵太陽能電池陣結構，其特征在于：所述In₂O₃和SnO₂的質量比是9：1。

5.根據權利要求2所述的等電位網絡三結砷化鎵太陽能電池陣結構，其特征在于：所述ITO膜金屬電極為鈦-鈀-銀結構，每個ITO膜金屬電極的厚度為5μm。

6.根據權利要求2所述的等電位網絡三結砷化鎵太陽能電池陣結構，其特征在于：所述ITO互連片為局部鍍金的銀箔，所述ITO互連片的厚度為0.03mm。

7.一種如權利要求1所述等電位網絡三結砷化鎵太陽能電池陣結構的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟101、首先在抗輻照玻璃蓋片上蒸鍍MgF₂減反射膜，然后用真空蒸鍍的方法在MgF₂減反射膜之上蒸鍍ITO透明導電膜，在每個蒸鍍ITO透明導電膜之上蒸鍍一對ITO膜金屬電極，在每個ITO膜金屬電極上焊接ITO互連片，最后把抗輻照玻璃蓋片用硅橡膠粘貼在三結砷化鎵太陽電池上；

步驟102、每個三結砷化鎵太陽能電池陣包括N個三結砷化鎵太陽能電池組件，每個太陽能電池組件包括M個粘貼有ITO抗輻照玻璃蓋片的三結砷化鎵太陽能電池，三結?太陽能電池的正負極以串聯的方式焊接在一起；

步驟103、將每個三結砷化鎵太陽能電池組件的M個三結砷化鎵太陽能電池上的ITO膜金屬電極通過ITO互連片焊接在ITO匯流條上，每個三結砷化鎵太陽能電池組件的三結砷化鎵太陽能電池上的ITO玻璃蓋片之間串聯成一個導電通路；

步驟104、將N個三結砷化鎵太陽能電池組件之間通過ITO匯流條和導線并接之后形成一個導電網絡，此導電網絡通過鉸鏈與衛星結構地連接。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述ITO透明導電膜為銦氧化物和錫氧化物的混合物；所述銦氧化物為In₂O₃；所述錫氧化物為SnO₂；所述In₂O₃和SnO₂的質量比是9：1。

9.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述ITO膜金屬電極為鈦-鈀-銀結構，每個ITO膜金屬電極的厚度為5μm。

10.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述ITO互連片為局部鍍金的銀箔，所述ITO互連片的厚度為0.03mm。