[發(fā)明專利]包括石墨烯和量子點(diǎn)的電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510336766.1
• 申請(qǐng)日: 2015-06-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105280710B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許鎮(zhèn)盛;金泰豪;李基榮;樸晟準(zhǔn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/15;H01L29/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種電子裝置，包括：

溝道層，包括電接觸量子點(diǎn)層的石墨烯層，所述量子點(diǎn)層包括多個(gè)量子點(diǎn)；

第一電極和第二電極，分別電連接到所述溝道層，所述量子點(diǎn)層在所述石墨烯層與所述第一電極之間，并且所述第二電極與所述第一電極和所述量子點(diǎn)層橫向地間隔開(kāi)；

柵電極，構(gòu)造為控制在所述第一電極和所述第二電極之間經(jīng)由所述溝道層的電流；和

柵絕緣層，在所述柵電極和所述溝道層之間。

2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其中

所述量子點(diǎn)層在所述石墨烯層的部分區(qū)域上，

所述第一電極接觸所述量子點(diǎn)層，和

所述第二電極接觸所述石墨烯層。

3.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，還包括：

第一傳輸層和第二傳輸層中至少一個(gè)，其中

所述第一傳輸層在所述石墨烯層和所述量子點(diǎn)層之間，

所述第二傳輸層在所述量子點(diǎn)層和所述第一電極之間。

4.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，其中所述量子點(diǎn)層包括多個(gè)第一量子點(diǎn)和不同于所述多個(gè)第一量子點(diǎn)的多個(gè)第二量子點(diǎn)。

5.如權(quán)利要求4所述的電子裝置，其中

所述多個(gè)第一量子點(diǎn)為第一導(dǎo)電類型材料，

所述多個(gè)第二量子點(diǎn)為與所述第一導(dǎo)電類型材料相反的第二導(dǎo)電類型材料，

所述多個(gè)第一量子點(diǎn)的導(dǎo)帶的值小于所述石墨烯層的費(fèi)米能量值，和

所述多個(gè)第二量子點(diǎn)的價(jià)帶的值大于所述石墨烯層的費(fèi)米能量值。

6.如權(quán)利要求4所述的電子裝置，其中

所述多個(gè)第一量子點(diǎn)接觸所述石墨烯層的第一區(qū)，

所述多個(gè)第二量子點(diǎn)接觸所述石墨烯層的第二區(qū)，和

所述第二區(qū)不同于所述第一區(qū)。

7.如權(quán)利要求6所述的電子裝置，其中所述多個(gè)第一量子點(diǎn)中的至少一個(gè)在所述多個(gè)第二量子點(diǎn)中對(duì)應(yīng)一個(gè)的頂部上。

8.如權(quán)利要求4所述的電子裝置，其中

所述多個(gè)第一量子點(diǎn)和所述多個(gè)第二量子點(diǎn)任意地混合，和

所述多個(gè)第一量子點(diǎn)和所述多個(gè)第二量子點(diǎn)的每個(gè)接觸所述石墨烯層。

9.如權(quán)利要求4所述的電子裝置，其中

所述多個(gè)第一量子點(diǎn)層疊為在所述石墨烯層和所述第一電極之間的多個(gè)層，和

所述多個(gè)第二量子點(diǎn)層疊為在所述石墨烯層和所述第一電極之間的多個(gè)層。

10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置，其中

所述量子點(diǎn)層包括多個(gè)第一柱狀物和多個(gè)第二柱狀物，

所述多個(gè)第一柱狀物的每個(gè)由彼此層疊的所述多個(gè)第一量子點(diǎn)中的一些定義，

所述多個(gè)第一柱狀物將所述石墨烯層和所述第一電極彼此連接，和

所述第二柱狀物的每個(gè)由彼此層疊的所述多個(gè)第二量子點(diǎn)中的一些定義，

所述多個(gè)第二柱狀物將所述石墨烯層和所述第一電極彼此連接，和

所述多個(gè)第一柱狀物和所述多個(gè)第二柱狀物交替地布置在所述石墨烯層和所述第一電極之間。

11.如權(quán)利要求9所述的電子裝置，其中

所述量子點(diǎn)層包括多個(gè)第一棱錐結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二棱錐結(jié)構(gòu)，

所述多個(gè)第一棱錐結(jié)構(gòu)的每個(gè)由所述多個(gè)第一量子點(diǎn)中的一些定義，

所述多個(gè)第一棱錐結(jié)構(gòu)將所述石墨烯層和所述第一電極彼此連接，

所述多個(gè)第二棱錐結(jié)構(gòu)的每個(gè)由所述多個(gè)第二量子點(diǎn)中的一些定義，

所述多個(gè)第二棱錐結(jié)構(gòu)將所述石墨烯層和所述第一電極彼此連接，和

所述多個(gè)第一棱錐結(jié)構(gòu)布置為與所述多個(gè)第二棱錐結(jié)構(gòu)互補(bǔ)。

12.如權(quán)利要求2所述的電子裝置，還包括：

基板，其中

所述柵電極在所述基板上，

所述柵絕緣層在所述柵電極上，和

所述石墨烯層在所述柵絕緣層上。