[發明專利]硅片及制造方法

在審

• 申請號: 201510335859.2
• 申請日: 2015-06-17
• 公開（公告）號: CN105280491A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 李秦霖;山田憲治;劉浦鋒;宋洪偉;陳猛
• 申請（專利權）人: 上海超硅半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/322
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅片制造方法，其特征在于，用Czochralski法拉制氧濃度在5x10¹⁷atoms/cm³~1x10¹⁸atoms/cm³以內、氮濃度在5x10¹⁴atoms/cm³~2x10¹⁶atoms/cm³以內的單結晶晶棒；用此晶棒加工成硅片后，在700℃~1000℃升溫區間處于氮氣氣氛中、在1000℃~1100℃升溫區間里處于氮氣和氬氣混合氣氛中、在1100℃~1150℃升溫區間里處于氬氣氣氛中進行熱處理，并在氬氣氣氛中在1150℃恒溫熱處理后降溫至700℃以下得到硅片。

2.如權利要求1所述的硅片制造方法，其特征在于所述硅片的氧濃度為5x10¹⁷atoms/cm³~7x10¹⁷atoms/cm³。

3.如權利要求1所述的硅片制造方法，其特征在于在氬氣氣氛中進行2~10小時的恒溫熱處理。

4.如權利要求1所述的硅片制造方法，其特征在于在硅片熱處理時，以5℃/min~15℃/min的升溫速率從700℃升溫至1000℃、以0.5℃/min~5℃/min的升溫速率從1000℃升溫至1100℃、以0.5℃/min~2℃/分從1100℃升溫至1150℃。

5.如權利要求1至4中任一項所述的硅片制造方法，其特征在于硅片進行熱處理時，在1000℃~1100℃升溫區間里進行熱處理時，將氮氣和氬氣的混合氣體導入爐內，使爐內氣氛為氮氣和氬氣的混合氣氛。

6.如權利要求5所述的硅片制造方法，其特征在于所述的導入爐內的氮氣和氬氣的混合氣體中，其氮氣的質量分數為0.1%~2.0%。

7.一種如權利要求1~6中任一項所述的方法處理后的硅片，其特征在于，硅片的無缺陷層深度不小于7μm、翹曲量不大于4μm。