[發明專利]一種制備通訊板的設備

在審

• 申請號: 201510332546.1
• 申請日: 2015-06-16
• 公開（公告）號: CN104915314A
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 魏國豐
• 申請（專利權）人: 深圳市普源新型材料有限公司
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鄧猛烈;潘登

技術領域

本發明涉及一種通訊板加工技術領域，尤其涉及一種制備通訊板的設備。

背景技術

夾芯板是由兩層成型面板和直接在面板中間發泡、熟化成型的高分子隔熱內芯組成。填充系統使用的也是閉泡分子結構，外層面板的成型充分考慮了結構和強度要求，并兼顧美觀，內面層成型為平板以適應各種需要。通訊板是一種通訊行業夾芯板，可用于通訊機柜。

目前，由于板材厚度的差異，制備通訊板的時，需要手動調節間隙調節螺桿，使上板和下板的間隙變化以符合板材的厚度。由于板材成型不規則，需要靠手動調節間隙，這樣既不精確又費時費力。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種制備通訊板的設備，該設備通過彈性裝置的彈量使得上板可上下活動，自動調節所需間隙；可制備不同型號的通訊板，制備的通訊板成型好，平整度高。

本發明采用以下技術方案實現：

一種生產通訊板的設備，包括牽引輥組，所述牽引輥組由前至后依次設有成型輪組和切割裝置，所述成型輪組包括上板和下板，所述上板設有上輾壓輪組，所述下板設有下輾壓輪組，所述上板開設有通孔，所述下板的上端開設有螺紋孔，所述通孔中套設有螺栓，所述螺栓的上端與所述上板之間套設有彈性裝置，所述螺栓的下端與所述螺紋孔螺紋連接。

優選地，所述切割裝置上設有用于感應板材位移的位移傳感器，所述設備上設有根據位移傳感器信號來控制所述切割裝置切割板材的控制裝置。

優選地，所述彈性裝置為彈簧。

優選地，所述切割裝置由前至后依次設有噴膠裝置和刷膠裝置，所述噴膠裝置設有“Y”形噴膠頭，刷膠裝置為采用凸輪連桿機構驅動以實現往復位移的刷桿。

優選地，通孔的內壁設有石墨層，石墨層厚度為2～6mm。

優選地，上輾壓輪組和下輾壓輪組均包覆有氮化硅層，氮化硅層厚度為1～4mm。

與現有技術相比，本發明具有如下有益效果：本發明提供的生產通訊板的設備，包括牽引輥組，所述牽引輥組由前至后依次設有成型輪組和切割裝置，所述成型輪組包括上板和下板，所述上板設有上輾壓輪組，所述下板設有下輾壓輪組，所述上板開設有通孔，所述下板的上端開設有螺紋孔，所述通孔中套設有螺栓，所述螺栓的上端與所述上板之間套設有彈性裝置，所述螺栓的下端與所述螺紋孔螺紋連接。本發明的設備通過彈性裝置的彈量使得上板可上下活動，自動調節所需間隙；可制備不同型號的通訊板，制備的通訊板成型好，平整度高。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖；

圖2為本發明的成型輪組機構示意圖。

附圖標示如下：1-牽引輥組、2-成型輪組、3-切割裝置、4-噴膠裝置、5-刷膠裝置、21-上板、22-下板、23-上輾壓輪組、24-下輾壓輪組、25-螺栓、26-彈性裝置。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明進行詳細的描述。

參見圖1，一種生產通訊板的設備，包括牽引輥組1，所述牽引輥組1由前至后依次設有成型輪組2和切割裝置3，所述成型輪組2包括上板21和下板，所述上板21設有上輾壓輪組23，所述下板22設有下輾壓輪組24，所述上板21開設有通孔，所述下板22的上端開設有螺紋孔，所述通孔中套設有螺栓25，所述螺栓25的上端與所述上板21之間套設有彈性裝置26，所述螺栓25的下端與所述螺紋孔螺紋連接。

本實施例在生產通訊板時，板材通過牽引輥組1進入成型輪組2，上輾壓輪組23和下輾壓輪組24對板材進行成型，彈性裝置26根據板材的厚度使得上板21可上下活動，自動調節所需間隙，制備的通訊板成型好，平整度高；同時，根據板材的厚度可制備不同型號的通訊板。

所述切割裝置3上設有用于感應板材位移的位移傳感器，所述設備上設有根據位移傳感器信號來控制所述切割裝置3切割板材的控制裝置。本實施例中的控制裝置可通過電路板來實現控制，板材輸送到切割裝置3時，位移傳感器開始感應板材，板材繼續前進到一定位移時，位移感應器將感應到板材的位移信號傳遞給控制裝置，控制裝置控制切割裝置3對板材進行切割，使得切割的板材尺寸精確，自動化程度高。

所述切割裝置3由前至后依次設有噴膠裝置4和刷膠裝置5，所述噴膠裝置4設有“Y”形噴膠頭，刷膠裝置5為采用凸輪連桿機構驅動以實現往復位移的刷桿。采用“Y”形噴膠頭可使噴出的膠水在板材上呈網格狀，有利于刷膠均勻，使板材與芯材層連接穩固，采用可往復位移的刷桿，可實現快速刷膠，刷膠效果好。

通孔的內壁設有石墨層，石墨層厚度為2～6mm，上輾壓輪組23和下輾壓輪組24均包覆有氮化硅層，氮化硅層厚度為1～4mm。