[發(fā)明專利]包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng)、半導(dǎo)體制造裝置及加工臺的溫度控制方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510329345.6 | 申請日: | 2015-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN105225984B | 公開(公告)日: | 2019-11-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廣木勤 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 路勇<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入國 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包含 控制 溫度 加工 系統(tǒng) 半導(dǎo)體 制造 裝置 方法 | ||
1.一種包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),包括:
圓盤狀的平板,其具有載置基板的正面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)龋?/p>
熱交換器,其以如下方式而構(gòu)成,即,對所述平板的所述背面?zhèn)榷S地排列的多個(gè)區(qū)域、即在所述平板的所述背面?zhèn)确指疃鄠€(gè)區(qū)的各個(gè)而成的該多個(gè)區(qū)域個(gè)別地供給熱交換介質(zhì),且個(gè)別地回收已供給到該多個(gè)區(qū)域的所述熱交換介質(zhì);及
多個(gè)閥單元,可針對所述多個(gè)區(qū)的每個(gè)區(qū)控制利用所述熱交換器對所述多個(gè)區(qū)域的所述熱交換介質(zhì)的供給或阻斷;
所述熱交換器包括:
多個(gè)第一管,在所述平板的下方二維地排列,朝所述平板的所述背面?zhèn)认蛏戏窖由?,提供與所述多個(gè)區(qū)域的各個(gè)相對向的開口端;
間隔壁,劃分形成分別包圍所述多個(gè)第一管的多個(gè)空間;及
多個(gè)第二管,以分別連通于所述多個(gè)空間的方式與所述間隔壁連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
所述多個(gè)閥單元的各個(gè)
配置在第一熱交換介質(zhì)供給裝置及第二熱交換介質(zhì)供給裝置與所述熱交換器之間,且包括:
共用管線,其具有連接于與同一所述區(qū)相對向的提供所述開口端的所述多個(gè)第一管的一端部及另一端部;
第一管線及第二管線,其連接于所述共用管線的另一端部;
第一熱交換介質(zhì)供給管線,其可連接于所述第一熱交換介質(zhì)供給裝置;
第二熱交換介質(zhì)供給管線,其可連接于所述第二熱交換介質(zhì)供給裝置;
第一閥,配置在所述第一管線與所述第一熱交換介質(zhì)供給管線之間;及
第二閥,配置在所述第二管線與所述第二熱交換介質(zhì)供給管線之間;
所述第一閥及第二閥可相互獨(dú)立地打開及關(guān)閉。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
所述第一熱交換介質(zhì)供給裝置供給調(diào)整為第一溫度的所述熱交換介質(zhì),
所述第二熱交換介質(zhì)供給裝置供給調(diào)整為比所述第一溫度高的第二溫度的所述熱交換介質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
所述多個(gè)閥單元的各個(gè)構(gòu)成為:能夠?qū)⒄{(diào)整為所述第一溫度的所述熱交換介質(zhì)及調(diào)整為所述第二溫度的所述熱交換介質(zhì)不相互混合地對所述多個(gè)區(qū)域進(jìn)行供給。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其以如下方式而構(gòu)成:在所述第一閥打開的情況下,關(guān)閉所述第二閥,在所述第二閥打開的情況下,關(guān)閉所述第一閥。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
所述多個(gè)區(qū)在所述平板的背面?zhèn)扔啥鄠€(gè)同心圓劃分邊界,
所述多個(gè)區(qū)域沿所述平板的周向分割所述多個(gè)區(qū)的各個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
所述熱交換器對所述平板的背面?zhèn)却怪钡毓┙o所述熱交換介質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
所述熱交換器以樹脂為主成分而構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
所述多個(gè)第一管的所述開口端包含含有碳的樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
在所述平板的所述背面?zhèn)刃纬芍┧龆鄠€(gè)第一管的所述開口端分別插入的多個(gè)凹部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
所述平板并不具備加熱元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的包含可控制溫度的加工臺的系統(tǒng),其中
連接所述多個(gè)閥單元的各個(gè)與所述熱交換器的流路的長度為2m以下。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





