[發明專利]氧化石墨烯與NTC半導體粉體雜化太陽能吸熱材料及制備方法有效
| 申請號： | 201510328913.0 | 申請日： | 2015-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN104927791B | 公開（公告）日： | 2018-06-15 |
| 發明（設計）人： | 蘇力宏;萬彩霞;段文艷;殷小瑋 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C09K5/14 | 分類號： | C09K5/14 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體粉體 氧化石墨烯 太陽能吸熱材料 可見光 雜化 制備 能量轉換 氧化石墨烯薄膜 等離子體共振 光熱轉換效率 納米顆粒表面 負溫度系數 紫外光 電絕緣體 同類材料 吸熱材料 不可見 發射率 深顏色 透光率 吸收光 包覆 絕緣 透明 輻射 吸收 轉化 | ||
1.一種氧化石墨烯與NTC半導體粉體雜化太陽能吸熱材料，其特征在于：采用透光率80％以上的電絕緣體氧化石墨烯薄膜包覆深顏色負溫度系數的NTC半導體粉體材料或摻雜NTC半導體材料，所述的深顏色為黑色。
2.根據權利要求1所述氧化石墨烯與NTC半導體粉體雜化太陽能吸熱材料，其特征在于：所述NTC半導體粉體材料是粒徑在100納米以下單分散粉末顆粒。
3.根據權利要求1所述氧化石墨烯與NTC半導體粉體雜化太陽能吸熱材料，其特征在于：所述電絕緣體氧化石墨烯采用透明度80％以上的多層或者單層氧化石墨烯。
4.一種制備權利要求1～3所述任一項氧化石墨烯與NTC半導體粉體雜化太陽能吸熱材料的方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：將氧化石墨烯和NTC半導體粉末或摻雜NTC半導體材料,按照氧化石墨烯:NTC顆粒為1000～1.01︰1的摩爾進行配比；
步驟2：通過研磨混合使得氧化石墨烯包覆于NTC半導體粉末或摻雜NTC半導體材料的表面形成包覆后的顆粒。
5.一種制備權利要求1～3所述任一項氧化石墨烯與NTC半導體粉體雜化太陽能吸熱材料的方法，其特征在于步驟如下：
步驟1：將氧化石墨烯和NTC半導體粉末或摻雜NTC半導體材料一種或數種，按照氧化石墨烯:NTC顆粒為1000～1.01︰1的摩爾進行配比；
步驟2：將氧化石墨烯先配成水溶液或者有機溶劑溶液；
步驟3：將NTC半導體材料或者摻雜NTC半導體材料兩者一種或數種攪拌加入步驟2得到的溶液分散混合均勻，然后過濾掉水或者溶劑,再烘干蒸發掉殘余的水或溶劑，使得氧化石墨烯包覆于NTC半導體粉末或摻雜NTC半導體材料的表面形成包覆后的顆粒。
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