[發明專利]一種超快閃爍ZnO薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201510328712.0 | 申請日： | 2015-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN104911706B | 公開（公告）日： | 2017-08-25 |
| 發明（設計）人： | 張燦云;鄒軍;徐家躍;孔晉芳;王鳳超;楊波波;李龍;孫孿鴻 | 申請（專利權）人： | 上海應用技術學院 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B23/02;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司31001 | 代理人： | 吳寶根 |
| 地址： | 200235 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 閃爍 zno 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超快閃爍ZnO薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：
1）一個酸處理單晶硅片的步驟，量取濃硫酸和濃磷酸，所述的濃硫酸和濃磷酸的體積比為1~5:1，將濃硫酸和濃磷酸混合后，加熱到溫度140~170℃，將單晶硅片放入其中，保持溫度持續10~40min，然后自然冷卻，取出單晶硅片，先采用乙醇清洗，然后采用超聲波清洗，最后吹干，即得經酸處理后的單晶硅片；
2）一個制備籽晶層的步驟，將上述處理后的單晶硅片作為襯底材料，采用磁控濺射薄膜沉積技術，在襯底上制備一層厚度為40~60nm的ZnO薄膜作為籽晶層；
3）一個沉積ZnO薄膜的步驟，在上述ZnO籽晶層上采用超聲噴霧熱解法沉積ZnO薄膜，霧氣輸送載氣為N2，沉積溫度范圍為370-390oC，ZnO薄膜的厚度為150-250nm，沉積的同時采用N-Ga共摻雜方法，Zn、N和Ga原子比范圍為Zn：N：Ga=1:1~3：0.01~0.05。
2.根據權利要求1所述的一種超快閃爍ZnO薄膜的制備方法，其特征在于：所述的濃硫酸的質量百分比濃度為95-98%，所述濃磷酸為質量百分比濃度為70~90%。
3.根據權利要求1所述的一種超快閃爍ZnO薄膜的制備方法，其特征在于：籽晶層的沉積條件為：沉積溫度300℃，濺射功率100W，沉積壓強0.26Pa，Ar：O2為1：3-1：5，沉積時間15min。
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