[發明專利]空心電抗器內部導體絕緣異常和質量缺陷的檢驗方法

在審

• 申請號: 201510326824.2
• 申請日: 2015-06-15
• 公開（公告）號: CN104865510A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 馮麗;王同剛;周廣東;尚基業
• 申請（專利權）人: 山東泰開電力電子有限公司
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12
• 代理公司: 泰安市泰昌專利事務所 37207
• 代理人: 陳冰

技術領域

本發明涉及一種檢驗空心電抗器內部導體絕緣和質量的檢驗方法。

背景技術

干式空心電抗器內部導體為電磁線，電磁線異常主要為絕緣異常和質量缺陷，電磁線生產過程中通過渦流探傷和在線耐壓對這兩種異常進行質量檢測，但在實際裸線生產過程中渦流探傷只能檢測出細小的尖角或毛刺，在線耐壓持續時間為1-3s，部分絕緣異常缺陷也可能檢測不出來，當有絕緣異常、導體質量缺陷的電磁線用在電抗器上后，造成電抗器局部放電量增大，加速絕緣損壞過程，影響電抗器的絕緣壽命。故對空心電抗器進行局部放電測量，可有效檢測出電磁線絕緣異常、導體質量缺陷，保證電抗器的使用壽命，提升電抗器的質量。

發明內容

本發明的目的就是提供提供一種空心電抗器所用絕緣異常和質量缺陷的檢驗方法，其所采取的方法為：

該空心電抗器所用導體絕緣異常和質量缺陷檢驗方法的具體步驟如下：

（1）對兩膜電磁線和四膜電磁線進行局部放電測量，取兩根平行放置的電磁線，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異，根據試驗數據可得出兩膜在4KV時產生局放，四膜在8KV時產生局放，即四膜電磁線產生局放的電壓值是兩膜電磁線產生局放的電壓值的兩倍；

（2）對四膜完好電磁線和四膜有導體質量缺陷電磁線進行局部放電測量，取兩根平行放置的電磁線，一根帶有絕緣異常或質量缺陷，一根正常，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根電磁線，記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異，根據試驗數據可得出完好電磁線在8KV時產生局放，且局放值要比有缺陷電磁線局放值小100pc；

（3）制作電抗器樣機，內部導體為絕緣正常、質量完好的電磁線，對電抗器樣機進行局部放電試驗，記錄產生初始局部放電時的電壓值U和局放值P；

（4）制作電抗器樣機，內部導體為待檢測的電磁線，對電抗器樣機進行局部放電試驗，記錄產生初始局部放電時的電壓值U1和局方值P1，若U1＜U，則可判斷待檢測的電磁線有絕緣異常，若U1=U，但P1＞P，則可判斷待檢測的電磁線有質量缺陷。

該方法采用的局部放電測量技術，對電抗器的局部放電進行測量，可對電抗器內包導體絕緣異常、導體質量缺陷進行有效鑒別，具有檢測步驟簡單、檢測結果準確的特點，很好的保證電抗器的使用壽命，提升電抗器的質量。

具體實施方式

該檢測方法的具體步驟如下：

（1）對兩膜電磁線和四膜電磁線進行局部放電測量。取兩根平行放置的電磁線，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，通過局部放電綜合分析儀記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異。根據試驗數據可得出兩膜在4KV時產生局放，四膜在8KV時產生局放，即四膜電磁線產生局放的電壓值是兩膜電磁線產生局放的電壓值的兩倍。

（2）對四膜完好電磁線和四膜有導體質量缺陷電磁線進行局部放電測量。取兩根平行放置的電磁線，一根帶有某種缺陷，一根正常，兩根電磁線用絕緣材料緊緊纏繞在一起，其中有缺陷的位置朝向另一根電磁線，通過局部放電綜合分析儀記錄樣品起始局放電壓和某一電壓下局放值之間的差異。根據試驗數據可得出完好電磁線在8KV時產生局放，且局放值要比有缺陷電磁線局放值小100pc。

（3）制作電抗器樣機，內部導體為絕緣、質量完好的電磁線，對電抗器樣機進行局部放電試驗，記錄產生初始局部放電時的電壓值U和局放值P。

（4）制作電抗器樣機，內部導體為待檢測的電磁線，對電抗器樣機進行局部放電試驗，記錄產生初始局部放電時的電壓值U1和局方值P1，若U1＜U，則可判斷為電磁線有絕緣異常，若U1=U，但P1＞P，則判斷為導體出現毛刺等質量缺陷，從而識別出待檢測的電磁線是否有絕緣缺陷或導體質量缺陷。