[發明專利]一種高轉化效率的納米硅薄膜太陽電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201510326126.2
• 申請日: 2015-06-15
• 公開（公告）號: CN104966757B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 章志斌
• 申請（專利權）人: 廣東漢能薄膜太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司44218
• 代理人: 童海霓,劉彥

1.?一種高轉化率的納米硅薄膜太陽電池，其特征在于：包括透明襯底（100）、前電極透明導電氧化層（200）、預沉積層（300）、非晶硅層（400）、中間反射層（500）、微晶硅層（600）、背電極透明導電氧化層（700）和反射封裝層（800），所述前電極透明導電氧化層（200）、預沉積層（300）、非晶硅層（400）、中間反射層（500）、微晶硅層（600）、背電極透明導電氧化層（700）、反射封裝層（800）依次沉積疊加在所述透明襯底（100）上。

2.?根據權利要求1所述的高轉化率的納米硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述非晶硅層（400）包括非晶硅復合p層、非晶硅電池緩沖層（403）、非晶硅復合i層（404）和非晶硅復合n層，所述非晶硅復合p層、非晶硅電池緩沖層（403）、非晶硅復合i層（404）、非晶硅復合n層依次沉積疊加在所述預沉積層（300）表面。

3.?根據權利要求1或2所述的高轉化率的納米硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述中間反射層（500）包括反射層和高效隧穿復合結（520），所述反射層包括n型摻雜的μc-SiOx:H層（511）和n型摻雜的μc-Si:H層（512），所述n型摻雜的μc-SiOx:H層（511）、n型摻雜的μc-Si:H層（512）均為雙層，所述n型摻雜的μc-SiOx:H層（511）、n型摻雜的μc-Si:H層（512）彼此交錯，所述n型摻雜的μc-SiOx:H層（511）、n型摻雜的μc-Si:H層（512）、高效隧穿復合結（520）沉積疊加在所述非晶硅層（400）表面。

4.?根據權利要求3所述的高轉化率的納米硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述微晶硅層（600）包括微晶硅復合p層、微晶硅復合i層和微晶硅復合n層，所述微晶硅復合p層、微晶硅復合i層和微晶硅復合n層依次沉積疊加在所述中間反射層（500）表面。

5.?根據權利要求4所述的高轉化率的納米硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述非晶硅沉積p層包括p型摻雜的a-SiOx:H層（401）和a-SiCx:H層（402），所述非晶硅n層包括n型摻雜的a-Si:H層（405）和n型摻雜的μc-Si:H層（406），所述p型摻雜的a-SiOx:H層（401）和a-SiCx:H層（402）依次沉積疊加在所述預沉積層（300）表面，所述n型摻雜的a-Si:H層（405）和n型摻雜的μc-Si:H層（406）依次沉積疊加在所述非晶硅復合i層（404）表面。

6.?根據權利要求5所述的高轉化率的納米硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述微晶硅復合p層包括p型摻雜的μc-Si:H層（611）、μc-SiOx:H層（612）和μc-Si:H層（613），所述微晶硅復合i層包括μc-Si:H?i層（622）、a-Si:H?i層（623），所述復合p層、復合i層（614）、微晶硅電池n層（616）依次沉積疊加在所述中間反射層（500）表面。

7.?根據權利要求6所述的高轉化率的納米硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述前電極透明導電氧化層（200）和背電極透明導電氧化層（700）均包括Seed層（201、701）和Bulk層（202、702）。

8.?根據權利要求7所述的高轉化率的納米硅薄膜太陽電池，其特征在于：所述預沉積層（300）是采用等離子體增強化學氣相沉積方法沉積的，所述預沉積層（300）的材料包括a-Si:H、a-SiCx:H和a-SiOx:H中的一種或二種以上。