[發明專利]用于對襯底上的結構進行曝光的方法和裝置

有效

• 申請號: 201510325815.1
• 申請日: 2015-06-12
• 公開（公告）號: CN105182691B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: R·策爾扎赫爾;P·伊爾西格勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種用于對襯底上的結構進行曝光的方法，所述方法包括：

將不變掩模版和可編程掩模版定位在光源和所述襯底上的層之間的單一光路中，所述層將被曝光于光；以及

通過使來自所述光源的光穿過所述不變掩模版和所述可編程掩模版二者，對所述襯底上的所述層進行曝光，

其中所述可編程掩模版被編程為實現在不同時間對具有不同幾何形狀的結構的曝光。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述可編程掩模版包括具有可控制的透光度的像素陣列。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述像素陣列中的每個像素包括狀態，在所述襯底上的所述層的曝光期間，所述狀態是透光狀態或者不透光狀態。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述可編程掩模版包括液晶單元陣列或者微鏡單元陣列。

5.根據權利要求1所述的方法，其中由所述不變掩模版上的結構產生的在所述襯底上的所述層上被曝光的結構的最小結構尺寸小于由所述可編程掩模版上的結構產生的在所述襯底上的所述層上被曝光的結構的最小結構尺寸。

6.根據權利要求1所述的方法，其中由所述可編程掩模版上的結構產生的在所述襯底上的所述層上被曝光的結構的最小結構尺寸小于5μm。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括使用光學單元將所述不變掩模版和所述可編程掩模版上的結構按比例縮小以在所述襯底上的所述層上再現按比例縮小的結構。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括相對于所述可編程掩模版移動所述襯底。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括在所述移動之后通過使來自所述光源的光穿過所述不變掩模版和所述可編程掩模版，對所述襯底上的所述層上的第二結構進行曝光。

10.根據權利要求1所述的方法，進一步包括對所述可編程掩模版進行重新編程以在所述可編程掩模版的所述重新編程之前和之后在所述襯底上的相同或不同的層上獲得不同結構。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述可編程掩模版被編程為使得在所述襯底上的所述層的第一部分的曝光期間能夠對第一結構進行曝光，并且被編程為使得在所述襯底上的所述層的第二部分的曝光期間能夠對第二結構進行曝光，其中所述第一結構與所述第二結構不同。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述可編程掩模版被編程為使得在所述襯底上的第一層的至少一部分的曝光期間能夠對第一結構進行曝光，并且被編程為使得在所述襯底上的第二層的至少一部分的曝光期間能夠對第二結構進行曝光，其中所述第一結構與所述第二結構不同。

13.根據權利要求1所述的方法，其中使用所述可編程掩模版來控制批次-晶片-芯片代碼結構、修整結構、或者熔絲編程結構的曝光。

14.一種用于對襯底上的結構進行曝光的裝置，所述裝置包括：

光源；

第一掩模版載體，被配置用于承載不變掩模版；

第二掩模版載體，被配置用于承載可編程掩模版；以及

襯底載體，被配置用于承載襯底，

其中所述光源、所述第一掩模版載體、所述第二掩模版載體以及所述襯底載體被布置為使得能夠通過使來自于所述光源的光穿過由所述第一掩模版載體承載的所述不變掩模版和由所述第二掩模版載體承載的所述可編程掩模版二者來對由所述襯底載體承載的所述襯底上的層進行曝光，

其中所述可編程掩模版被編程為實現在不同時間對具有不同幾何形狀的結構的曝光。

15.根據權利要求14所述的裝置，包括掩模版控制模塊，所述掩模版控制模塊被配置以提供用于對由所述第二掩模版載體承載的所述可編程掩模版的編程進行控制的控制信號。